Question

请电子发烧友帮忙分析一个手机充电器的原理图，小弟感激不尽

请大神帮忙分析一下工作原理，特别是原理图中那两个三极管，不知道怎么工作的，我也曾怀疑原理图有错，但是有朋友参照这个图连线做得很成功，他也不明白工作原理。小弟邮箱：277403491@qq.com，再次感谢！！！

Answer 1

　　江崎二极管（Tunnel Diode）
　　它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
D4电流的大小影响光耦发光管的明暗程度，也就是间接的形成稳压效果

追问

哦，…是这样啊！非常感谢您！另外光耦左边的两个三极管是什么作用呢？还是分析不了，不好意思再麻烦您一下

追答

Q1是开关管，Q2是稳压管，市电经D整流C1滤波后由R1降压的电压加至Q1基极，Q1导通，电流流过B1，在C2端产生感应电压经C2；R2反馈到Q1基极，Q1很快饱，和你图纸好像有错误，应该如下图红线所示

Answer 2

它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
D4电流的大小影响光耦发光管的明暗程度，也就是间接的形成稳压效果

Answer 3

水电费的说法