请电子发烧友帮忙分析一个手机充电器的原理图,小弟感激不尽
请大神帮忙分析一下工作原理,特别是原理图中那两个三极管,不知道怎么工作的,我也曾怀疑原理图有错,但是有朋友参照这个图连线做得很成功,他也不明白工作原理。小弟邮箱:2774...
请大神帮忙分析一下工作原理,特别是原理图中那两个三极管,不知道怎么工作的,我也曾怀疑原理图有错,但是有朋友参照这个图连线做得很成功,他也不明白工作原理。小弟邮箱:277403491@qq.com,再次感谢!!!
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江崎二极管(Tunnel Diode)
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。
D4电流的大小影响光耦发光管的明暗程度,也就是间接的形成稳压效果
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。
D4电流的大小影响光耦发光管的明暗程度,也就是间接的形成稳压效果
追问
哦,…是这样啊!非常感谢您!另外光耦左边的两个三极管是什么作用呢?还是分析不了,不好意思再麻烦您一下
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它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。
D4电流的大小影响光耦发光管的明暗程度,也就是间接的形成稳压效果
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