光滑平行导轨相距L,导轨平面与水平面间的夹角为θ,两导轨的下端有电动势E,内电阻为r的电池
光滑平行导轨相距L,导轨平面与水平面间的夹角为θ,两导轨的下端有电动势E,内电阻为r的电池,导轨及连线的电阻均不计，磁感应强度为B的匀强磁场垂直于导轨平面向下，将一根质量...
光滑平行导轨相距L,导轨平面与水平面间的夹角为θ,两导轨的下端有电动势E,内电阻为r的电池,导轨及连线的电阻均不计，磁感应强度为B的匀强磁场垂直于导轨平面向下，将一根质量为M电阻为R的直导体棒ab沿水平方向在平行导轨上，设导轨足够长，试求：直导体棒ab由静止释放后，最终在导体上的滑行速度多大
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当ab达到最高速度V时，对V进行受力分析，重力G，支持力，安培力F‘，并且此时导体受力平衡，
导体ab在磁场中的感生电动势为
E’=BLV
导体中的电流为
I=（E-E‘）/(R+r)=(E-BLV)/(R+r)
此时导体受到的安培力方向为
F=BLI=BL*(E-BLV)/(R+r)
此时F与重力G在沿斜面向下的分力相等，则有
Gsinθ=BL*(E-BLV)/(R+r)
解得V=E/(BL)-(R+r)*Mgsinθ/(BL)^2
导体ab在磁场中的感生电动势为
E’=BLV
导体中的电流为
I=（E-E‘）/(R+r)=(E-BLV)/(R+r)
此时导体受到的安培力方向为
F=BLI=BL*(E-BLV)/(R+r)
此时F与重力G在沿斜面向下的分力相等，则有
Gsinθ=BL*(E-BLV)/(R+r)
解得V=E/(BL)-(R+r)*Mgsinθ/(BL)^2
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昂骁
2024-11-04 广告
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