Question

mcs—51单片机数据存储器RAM分布情况,说明片内和片外如何区分

Answer 1

51单片机有以下几个内存模块组成：
1】ROM或者Flash，叫程序存储区，你写的程序是存在这里面的，上电后从这里面执行。
程序存储区也分为片内和片外，一般来说，现在的51很多已经做到了64K，所以很少有外扩
片外Flash或者片外的Rom了，Flash或者Rom不管是片内还是片外的，只能用来定义常量，是用code来修饰，也就是说，用code来修饰的东西，在程序运行过程中，不能修改；
2】RAM有------内部RAM的低128位（00-7F)，对应C语言就是data,比如我定义一个变量，
data unsigned char Var = 0;
那么，这个 Var变量就是放在内部的低128位Ram中
-------内部RAM的高128位（80-FF)，对应C语言就是idata,比如我定义一个变量，
idata unsigned char Var = 0;
那么，这个 Var变量就是放在内部的高128位Ram中
-------特殊功能寄存器（SFR）（80-FF)，对应C语言就是Sfr比如我定义一个变量，
Sfr unsigned char Var = 0x90;
那么，这个 Var变量就是放在内部的特殊功能寄存器中,这是你对Var操作，相当于操作一个特殊的寄存器，但是小心，不能随便定义Sfr变量，很危险
------外部RAM 64K（0000-FFFF）
外部的RAM可以扩展到65536个，但是前256个算是一页，这一页比较特殊，是用
pdata来修饰的，当然，也可以用xdata来修饰。
除了第一页的256个以外的其他65280个空间，只能用xdata来修饰；
回过头来讨论pdata和xdata，这两个都能修饰外部Ram的第一页，但是，Pdata只能修饰第一页，即最前面的256个外部Ram,那么，这最前面的256个到底用Pdata还是Xdata好的呢？
答案是Pdata，因为Xdata修饰的变量，用的是DPTR寻址，Pdata用的是R0和R1.DPTR因为是16位的，所以可以覆盖整个的64K外部Ram，R0和R1是8位，所以只能寻址最前面的256个，也就是外部Ram的第一页，但是，用R0寻址，比DPTR快一倍，代码也小的很多

楼主又疑惑了，好多地址是重复的，比如，我向80H地址写一个数值，单片机怎么知道读的是内部的高128位RAM？还是SFR？还是外部64K的RAM呢？

答案是用指令，如果是直接寻址，那么访问的就是SFR，如果是R0或者R1间接寻址，就是内部高128位RAM，如果是DPTR或者是R0，R1间接寻址，且配合的是MovX指令，那么就是访问外部64KRAM中的第80H个地址。

概括一下来说，51的内存由以下组成：
1----程序存储器（包括片内Flash或Rom,也包括片外Flash或Rom，C语言用Code定义）
2----内部低128位Ram,C语言用data定义
3---内部高128位Ram,C语言用idata定义
4---内部SFR，C语言用Sfr定义
5---外部65536个Ram（通常，很多单片机厂家不会给你扩展那么多的，一般来说扩展256个字节或者1024个字节就差不多了，最近宏晶的出了个扩展4096字节的。这65536字节的Ram，前256个可以用Pdata修饰，也可以用Xdata修饰，超过256个之后的，只能用Xdata修饰）

以上所说的只是针对51内核的单片机，其他内核的，像ARM之类的，不是这种结构的。

Answer 2

　　mcs—51单片机数据存储器RAM分布情况及区分：片内 RAM，是买来一片 51 单片机芯片时，里面自带的。片外 RAM，需要另外再买几块 RAM 芯片，焊接到电路板上。
　　单片机（Microcontrollers）是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。

Answer 3

mcs—51单片机的数据存储器 RAM分布情况：
片内，00H~7FH，共 128 字节；
片外，0000H~FFFFH，共 65536 字节，即 64K。

如何区分：
是要求用肉眼区分吗？
片内 RAM，是买来一片 51 单片机芯片时，里面自带的。
片外 RAM，需要另外再买几块 RAM 芯片，焊接到电路板上。
用肉眼观察，立即就可以区分出来。