三极管2N5401(功放上面的三极管)的基极,集电极,发射极是哪个脚?用哪些常见的三极管代换? 100
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面对型号,引脚排列从左到右分别是发射极、基极、集电极。你可以用现在常用的PNP管9015、2N3906直接代换,这两种管子的引脚排列与2N5401完全一样。
2N5401是现在常用的PNP小功率硅三极管。它常与NPN三极管2N5551构成互补管使用。2N5401的耐压值为160V,Pcm=625mW,Icm=600mA。2N5551参数与它基本相同,只是它的耐压值是150V。
扩展资料:
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。
在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。
参考资料:百度百科——三极管
2023-08-25 广告
从左到右依次是发射极、基极、集电极。这个管子本身就是很常见的,网上一大把,用不着找替代的。
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从左到右分别是 发射极、基极、集电极。
也就是EBC排列顺序。
可以用2SA1013替换。
2N5401是160V 0.6A的PNP管,只要耐压和电流符合的,就可以替代,功放上面频率不高,频率方面一般管子都能满足需要。如果你功放上面的耐压没有那么高,那么你也可以用别的常见的管子替代,具体要看那个管子工作的环境。