MOS开关电路

自己改个电路,由于对模拟电路不熟悉,所以请教下。“电路”是一节锂电供电,现在需要个电子开关电路,打算用MOS管。电路电流在500MA左右,最大1A以下。地电平,高电平驱动... 自己改个电路,由于对模拟电路不熟悉,所以请教下。
“电路”是一节锂电供电,现在需要个电子开关电路,打算用MOS管。电路电流在500MA左右,最大1A以下。地电平,高电平驱动都可以(前级设计可以改变输出电平方式),请提供相应电路及元件型号。
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zzx梓
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MOS开关电路图电路图如下:

AOD448是30V 75A的管子,是用4.5V驱动的,偏高了点。

可以用AOD442,AO3416等管子,电压用2.5V就能驱动。当电压为2.5V时,只有26豪欧。电流2到3安没问题。

也可以用IRF540N,1A条件下一点问题都没有,当时做精密恒流源,可以控制到精度1mA。不过散热很重要,要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动(其实就相当于PWM)。

扩展资料:

MOS管开关电路:

1、P沟道MOS管开关电路

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

2、N沟道mos管开关电路

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。

参考资料来源:百度百科-Mos开关电路

百度网友1c8df571a
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知道小有建树答主
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太简单了。我给你个电路吧。

AOD448是30V 75A的管子,这个是4.5V驱动的,偏高了点。可以用AOD442,AO3416等管子,2.5V就能驱动。2.5V时,只有26豪欧。电流两三A没问题。

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绾浔漓酱&#xF353;
2013-01-19 · TA获得超过4.6万个赞
知道大有可为答主
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你的锂电池电压多少?
我上次用的是IRF540N,1A条件下一点问题都没有,当时做精密恒流源,可以控制到精度1mA。
不过散热很重要,要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。
高电平驱动(其实就相当于PWM)。
更多追问追答
追问
麻烦给个MOS开关电路图,我的是3.6V的,电流大概在500ma左右。
追答
你按我说的做:
IO口出来后,直接接MOS的G,D接电源(+),S接电源负,
G接一个3K电阻到S。
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谦恭又深邃的小纯真5
高粉答主

2020-11-08 · 醉心答题,欢迎关注
知道答主
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