CPU的45纳米工艺是指什么?
3个回答
2013-12-07
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概述:
英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层,是半导体行业近40年来的重要创新。英特尔的65纳米制程升级为45纳米制程技术并非以往升级所带来的量变,而是脱胎换骨的飞跃。凭借制程的创新,英特尔迈出TICK-TOCK产品发展战略稳健的又一步,并拉开了半导体行业发展的历史新篇章。这一创新再次延续了摩尔定律,使之在未来10年继续有效。
随着英特尔45纳米半导体制程技术揭开神秘面纱,一系列采用该技术的服务器、工作站及台式机处理器同期发布。较前代产品,新产品在性能、能耗比以及经济性方面有显著提高,并将在正式发布后向市场供货。
预览英特尔45纳米制程技术创新
英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术
英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术是英特尔制造晶体管的新方法,它以一种具有高k特性的新材料作为“栅极电介质”,并采用了一种新型金属材料作为晶体管的“栅极”。向这些新材料组合的转变,标志着40多年来晶体管制造方式最重大的变革。
采用英特尔45纳米高k晶体管的优势
全新英特尔45纳米高k晶体管方案通过缩小晶体管的体积解决了漏电率问题。它能降低晶体管的漏电率,帮助英特尔的工程师们在提供更高性能的同时降低处理器的能耗。同时,笔记本电脑用户也将发现,漏电率的降低使得能耗也随之减少,电池的使用时间更长了。
英特尔在新制程技术中采用的新材料
高k材料基于一种名为铪的元素,而不是以往的二氧化硅;而晶体管栅极则由两种金属元素组成,取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新的方案中结合了所有这些新材料,是英特尔提升处理器性能的独特手段。
采用金属铪的价值所在
铪是元素周期表中的72号元素,也是一种金属材料。它呈银灰色,具有很高的韧性和防腐性,化学特性类似于锆。英特尔之所以在45纳米晶体管中采用铪来代替二氧化硅,是因为铪是一种较厚(thicker)的材料,它能在显著降低漏电量的同时,保持高电容来实现晶体管的高性能。这项创新技术引导我们推出了新一代45纳米处理器,并为我们将来生产体积更小巧的处理器奠定了基础。
英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层,是半导体行业近40年来的重要创新。英特尔的65纳米制程升级为45纳米制程技术并非以往升级所带来的量变,而是脱胎换骨的飞跃。凭借制程的创新,英特尔迈出TICK-TOCK产品发展战略稳健的又一步,并拉开了半导体行业发展的历史新篇章。这一创新再次延续了摩尔定律,使之在未来10年继续有效。
随着英特尔45纳米半导体制程技术揭开神秘面纱,一系列采用该技术的服务器、工作站及台式机处理器同期发布。较前代产品,新产品在性能、能耗比以及经济性方面有显著提高,并将在正式发布后向市场供货。
预览英特尔45纳米制程技术创新
英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术
英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术是英特尔制造晶体管的新方法,它以一种具有高k特性的新材料作为“栅极电介质”,并采用了一种新型金属材料作为晶体管的“栅极”。向这些新材料组合的转变,标志着40多年来晶体管制造方式最重大的变革。
采用英特尔45纳米高k晶体管的优势
全新英特尔45纳米高k晶体管方案通过缩小晶体管的体积解决了漏电率问题。它能降低晶体管的漏电率,帮助英特尔的工程师们在提供更高性能的同时降低处理器的能耗。同时,笔记本电脑用户也将发现,漏电率的降低使得能耗也随之减少,电池的使用时间更长了。
英特尔在新制程技术中采用的新材料
高k材料基于一种名为铪的元素,而不是以往的二氧化硅;而晶体管栅极则由两种金属元素组成,取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新的方案中结合了所有这些新材料,是英特尔提升处理器性能的独特手段。
采用金属铪的价值所在
铪是元素周期表中的72号元素,也是一种金属材料。它呈银灰色,具有很高的韧性和防腐性,化学特性类似于锆。英特尔之所以在45纳米晶体管中采用铪来代替二氧化硅,是因为铪是一种较厚(thicker)的材料,它能在显著降低漏电量的同时,保持高电容来实现晶体管的高性能。这项创新技术引导我们推出了新一代45纳米处理器,并为我们将来生产体积更小巧的处理器奠定了基础。
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2023-03-20 广告
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2013-12-07
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详细像你解释一下吧
你看完了希望能茅塞顿开!
CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。如果想要提高CPU的性能,那么更高的频率、更先进的核心以及更优秀的缓存架构都是不可或缺的,而此时自然也需要以制作工艺作为保障。几乎每一次制作工艺的改
进都能为CPU发展带来最强大的源动力,无论是Intel还是AMD,制作工艺都是发展蓝图中的重中之重,如今处理器的制造工艺已经走到了45纳米的新舞台,它将为新一轮CPU高速增长开辟一条康庄大道。很多用户都对不同的CPU的制作工艺非常熟悉,然而如果问他们什么是制作工艺,65纳米、45纳米代表的是什么,有什么不同,这些问题他们未必能够准确地解答,下面我们就一起来详细了解一下吧。一、铜导互连的末代疯狂:45纳米制作工艺几乎每一次制作工艺的改进都会给CPU发展带来巨大的源动力。以如今炙手可热的Pentium4为例,从最初的0.18微米到随后的65纳米,短短四年中我们看到了惊人的巨变。如今,45纳米制作工艺再一次突破了极限,这也被视为是铜导互连技术的最终畅想曲。1.制作工艺的重要性早期的微处理器都是使用0.5微米工艺制造出来的,随着CPU频率的增加,原有的工艺已无法满足产品的要求,这样便出现了0.35微米以及0.25微米工艺,不久以后,0.18微米、0.13微米以及90纳米制造的处理器产品也相继面世。另外一方面,早期芯片内部都是使用铝作为导体,但是由于芯片速度的提高,芯片面积的缩小,铝线已经接近其物理性能极限,所以芯片制造厂商必须找出更好的能够代替铝导线的新的技术,这便是我们常说的铜导技术。铜导线与铝导线相比,有很大的优势,具体表现在其导电性要优于铝,而且电阻小,所以发热量也要小于现在所使用的铝,从而可以有效地提高芯片的稳定性。我们今天所要介绍的65纳米技术也是向着这一方向发展。光刻蚀是目前CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤,其过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格,需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜,刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程,设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量,而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步。制作工艺对于光刻蚀的影响十分巨大,这也就是CPU制造商疯狂追求制作工艺的最终原因。2.何谓45纳米制作工艺我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非是加工生产线,实际上指的是一种工艺尺寸,代表在一块硅晶圆片上集成所数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术述语来说,也就是指芯片上最基本功能单元门电路和门电路间连线的宽度。以90纳米制造工艺为例,此时门电路间的连线宽度为90纳米。我们知道,1微米相当于1/60头发丝大小,经过计算我们可以算出,0.045微米(45纳米)相当于1/1333头发丝大小。可别小看这1/1333头发丝大小,这微小的连线宽度决定了CPU的实际性能,CPU生产厂商为此不遗余力地减小晶体管间的连线宽度,以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。采用45纳米制造工艺之后,与65纳米工艺相比,绝对不是简单地令连线宽度减少了20纳米,而是芯片制造工艺上的一个质的飞跃如今最新的45纳米制造工艺可以在不增加芯片体积的前提下,在相同体积内集成多将近一倍的晶体管,使芯片的功能得到扩展。毫无疑问,信位宽度越小,晶体管的极限工作能力就越大,这也意味着更加出色的性能。对于Core架构的Intel处理器而言,更高的主频有着很大的意义,而且新的制作工艺令集成更多缓存变得轻而易举。下表是历代微处理器与制作工艺发展之间的关系:
微处理器 制作工艺 工作主频中位数 二级缓存
你看完了希望能茅塞顿开!
CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。如果想要提高CPU的性能,那么更高的频率、更先进的核心以及更优秀的缓存架构都是不可或缺的,而此时自然也需要以制作工艺作为保障。几乎每一次制作工艺的改
进都能为CPU发展带来最强大的源动力,无论是Intel还是AMD,制作工艺都是发展蓝图中的重中之重,如今处理器的制造工艺已经走到了45纳米的新舞台,它将为新一轮CPU高速增长开辟一条康庄大道。很多用户都对不同的CPU的制作工艺非常熟悉,然而如果问他们什么是制作工艺,65纳米、45纳米代表的是什么,有什么不同,这些问题他们未必能够准确地解答,下面我们就一起来详细了解一下吧。一、铜导互连的末代疯狂:45纳米制作工艺几乎每一次制作工艺的改进都会给CPU发展带来巨大的源动力。以如今炙手可热的Pentium4为例,从最初的0.18微米到随后的65纳米,短短四年中我们看到了惊人的巨变。如今,45纳米制作工艺再一次突破了极限,这也被视为是铜导互连技术的最终畅想曲。1.制作工艺的重要性早期的微处理器都是使用0.5微米工艺制造出来的,随着CPU频率的增加,原有的工艺已无法满足产品的要求,这样便出现了0.35微米以及0.25微米工艺,不久以后,0.18微米、0.13微米以及90纳米制造的处理器产品也相继面世。另外一方面,早期芯片内部都是使用铝作为导体,但是由于芯片速度的提高,芯片面积的缩小,铝线已经接近其物理性能极限,所以芯片制造厂商必须找出更好的能够代替铝导线的新的技术,这便是我们常说的铜导技术。铜导线与铝导线相比,有很大的优势,具体表现在其导电性要优于铝,而且电阻小,所以发热量也要小于现在所使用的铝,从而可以有效地提高芯片的稳定性。我们今天所要介绍的65纳米技术也是向着这一方向发展。光刻蚀是目前CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤,其过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格,需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜,刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程,设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量,而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步。制作工艺对于光刻蚀的影响十分巨大,这也就是CPU制造商疯狂追求制作工艺的最终原因。2.何谓45纳米制作工艺我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非是加工生产线,实际上指的是一种工艺尺寸,代表在一块硅晶圆片上集成所数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术述语来说,也就是指芯片上最基本功能单元门电路和门电路间连线的宽度。以90纳米制造工艺为例,此时门电路间的连线宽度为90纳米。我们知道,1微米相当于1/60头发丝大小,经过计算我们可以算出,0.045微米(45纳米)相当于1/1333头发丝大小。可别小看这1/1333头发丝大小,这微小的连线宽度决定了CPU的实际性能,CPU生产厂商为此不遗余力地减小晶体管间的连线宽度,以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。采用45纳米制造工艺之后,与65纳米工艺相比,绝对不是简单地令连线宽度减少了20纳米,而是芯片制造工艺上的一个质的飞跃如今最新的45纳米制造工艺可以在不增加芯片体积的前提下,在相同体积内集成多将近一倍的晶体管,使芯片的功能得到扩展。毫无疑问,信位宽度越小,晶体管的极限工作能力就越大,这也意味着更加出色的性能。对于Core架构的Intel处理器而言,更高的主频有着很大的意义,而且新的制作工艺令集成更多缓存变得轻而易举。下表是历代微处理器与制作工艺发展之间的关系:
微处理器 制作工艺 工作主频中位数 二级缓存
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2013-12-07
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就是指CPU内核的制造工艺,越底的数字,代表更先进的技术,下一代45NM为主打,目前是65NM
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