Question

电路中MOS管损坏问题

图片是我用的一个MOS管的电子开关电路，Q2是低压贴片MOS管耐压-30V，电流4.2A，P1是一个插头。
目前这个电路空载Vcc一通12V电MOS管立马损坏，直接S和D短路，不再受G的控制，问题Switch信号始终为0啊，三极管8050根本没打开过啊。P1上挂上1K的负载，给VCC缓慢提升电压，发现超过6V电压时MOS管就缓慢开启了，怪异的是这时候测它的G-S电压为0。将三极管取下单独给MOS管加电压结果它又不开启了，求大虾门给看看是哪里的问题，或者这种驱动方式不可取？求能用的电路图

Answer 1

你好：

——★1、MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。

——★2、请看附图。......图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。因为MOS管属于电压控制器件，100K电阻不影响MOS管的开关状态。

追问

确实是栅源电压过大导致的MOS管损坏，不过不是静电而是信号电压……加上5V稳压管就没问题了。那个出现漏电流的问题发现是由于测试地与电源地接触不良引起的误判。
看来我买到的管子不是原装的，原装规格书上写的耐压不止这个值。

追答

。

Answer 2

很简单。
2，体积小，MOS输入阻抗，低噪音，低功耗，易于集成。问题的关键是，这些性能比晶体管三极管的管损过大，效率低下。
3，虚，虚短虚断是指类似虚拟地看看后面的话是不实际的接地性能类似地，虚短是不是短路表面上，但性能类似短路，虚拟网球公开赛实际上并不开路，但性能是类似的断开。虚短虚断的运算放大器电路的条件下，运算放大器的线性区，分析，看是否引入电压负反馈运算放大器，电压负反馈的线性区域。
4，微变等效电路是低频率的晶体管特性的模型研究动态的，具体的，复杂的，大量的微分方程，百度是不可能说清楚的，试图读取。
使用此模型中，放大器电路的动态参数，可以进行分析，如动态电阻RBE输入电阻输出电阻，放大倍率，等。

Answer 3

这种驱动方式没有问题，问题出在Switch信号始终为0，Switch信号必须要有一个电压令S8050导通，Q2才导通的，判断Q2的好坏，将S8050的发射极和集电极短路，Q2导通，Q2管就是好的，应该问题出在Switch的控制线路上。这个线路，Switch有电压Q2才导通，Switch没有电压Q2截止。

Answer 4

你的MOS管接法是正确的，P管的S应该接高电平，N管的S应该接低电平。
你可以把上面的R1换一个8550试一试。两个三极管的基极接一起，然后接到方波信号上去。

追问

你是说搞一个图腾柱试试？

追答

对，就是推挽电路，应该好使，我记得我做过仿真，但是具体用的MOS管不是这个型号。但是应该没问题！

追问

推挽电路经实验不可行，这种型号的MOS管栅源电压达到0.3V就已经进入可变电阻区了，也就是说这个时候已经微弱导通了……

Answer 5

把R1断开就好了，自给偏压,你试一下看看，如果不行就去查些书籍上的MOS开关电路

追问

R1断开……那MOS管怎么关断的？

追答

一般源极接低电位，你的源极接VCC，不太好

追问

不是N管源极才接低么？难道P管也有源极接低的做法？

追答

这样看