场效应管和可控硅之间的区别
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1、微件不同：
场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2、放大系数：
场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；可控硅是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3、输入电阻：
场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而可控硅工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比可控硅的输入电阻高。
4、性能不同：
场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
扩展资料：
可控硅和场效应管的优点
1、可控硅优点如下：有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装、结构重复性好、装置的机械设计可以简化、价格比分立器件低等诸多优点
2、场效应管的优点：场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻很大；场效应管利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；场效应管的抗辐射能力强；由于场效应管不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管 VS 三极管
1．微件不同：
场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2．放大系数：
场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．输入电阻：
场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．性能不同：
场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．特性差异：
场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。
6．噪声系数：
场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．制造工艺：
场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
可控硅 VS (三极管/场效应管）
1、工作电路不同：
可控硅可以工作在直流电路中，也可以工作在在交流电路中。不过当它用在直流电路中时，一旦触发，即便触发电压消失了，只有阳阴极间电压存在，它就仍然处于导通状态。
三极管必须用在直流供电的电路中，这是它的特性决定的。他可以处于放大状态，用于模拟电路中。也可以仅处于饱和导通和截止两种状态，用于开关电路或数字电路中。
2、PN结不同：
可控硅，阳极与阴极间有两只反向PN结，用表测量电阻极大;只有门极与阴极是PN结，正反间电阻相差很大;只要电极间符合这个现象的，那就是可控硅了。
三极管，基极对其它两极都是一个PN结，当你用表循环测量到某个电极对其它两极都能呈现出低阻或高阻时，那么基本可以断定这是三极管
参考资料：百度百科：可控硅
参考资料：百度百科：三极管
参考资料： 百度百科：场效应管
那么在应用上，场效应关你开关都是通过G级来开关的，比如G级维持高电平则导通，低电平则截止。而可控硅不一样，一般来说，可控硅G级只负责控制开，至于关是自动的，也就是说G控制导通后他就不管了，截止是A K电流为零，自动截止
可控硅是一种特殊的二极管，是可控硅整流元件的简称。是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模拟。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因此开始道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。在实际应用中，我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而达到可控硅的关断。
场效应管 VS 三极管
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
