Question

模拟电路

谁能说一下三极管放大的原理，自己看书一直云里雾里，或者谁有好的课件或者视频

Answer 1

既然书上的看不懂，我就换个‘偏方’给你解释吧：
三极管，顾名思义，3个引脚。
拿NPN来说吧，3个引脚中，其中一个引脚是电流的输入端，也可以认为是控制端（基极-b）；
一个是电流的输出端（集电极-c）；
一个是公共端，也就是控制端（b）和输出端（c）共用的一个电流泄出的引脚，也可以认为是接电源负极或地的（发射极-e）
假设这个三极管放大倍数是100倍（β=100）时，如果你给控制端（b）1mA的电流（电流经过e脚返回，也就是形成回路），从三极管的输出端（c）流向（e）的电流，最大可以达到100mA，这时的三极管就像调节流量大小的阀门一样；当b极流经e极为10mA时，c流经e可以达到1000mA，以此类推，直到逼近三极管的额定最大电流Ice和最高工作温度为止，这就是三极管的电流放大作用。
NPN如果弄明白了，PNP想想也就能明白了。
如果PNP也明白了，场效应管（MOS）和达林顿管也很快就能弄明白了，祝你学习顺利。

Answer 2

比如NPN三极管。
发射极是N区，掺杂的浓度很高，自由电子是多子；基极是P区，掺杂的浓度较低，空穴是多子，自由电子是少子。 当基极和发射极加正向电压时，发射极N区的自由电子就大量的进入P区，与基区的空穴不断结合形成Ib；

这时当基极与集电极之间的PN结接反向电压时，从发射极流入基区的自由电子，就以基区少子的身份，通过 B-C 的PN结，到达集电极，形成漏电流 Ic，Ic的方向和自由电子的反向相反，所以漏电流Ic是反向通过PN结的。

由于基区掺杂的浓度低，所以从发射区流入基区的大量自由电子，少数与基区的空穴结合，多数又从基区流入集电区。这样，这些本属于发射区的自由电子，在基区居住的和移民到集电区的，就形成了一个比例，这个比例就是β了。 就是Ic与Ib的比值。

当然，在外电场的作用下，在基区，与空穴结合的自由电子也会分开，再重新结合，所以 Ib 恒定可以控制 Ic。 Ib大的话，则能吸收发射区的自由电子就越多，这样集电区从基区再吸收的自由电子也越多， Ic就随着增大。 这个比例不变，也就是说 β的值不变。

PNP管也是这么分析。发射结正偏，集电结反偏，才有漏电流 Ic。
以上是三极管的放大原理，Ib 控制 Ic。如果计算的时候满足Uce>Ube则是放大状态。

希望你能理解。

Answer 3

优酷上去搜一下就有很多了。