放大电路及相应的晶体管输出特性如图所示,直流负载线和Q点也标在图上. 5

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GamryRaman 2023-06-12
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不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必...
zxl5
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推荐于2017-12-16 · 大脑停止不了思考
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1.由右图可得:Vcc=12V,Rc=12/6mA=2kΩ,Rb=(12V-0.7V)÷(40μA/β)=11.3V÷40μA=282.5kΩ
2.交流负载线的右端与右图中的直流负载线经过坐标为9V处的横轴坐标点,左端则经过纵轴上与右图的坐标点,你自己照此去画即可
3.在这种情况下,最大不失真输出电压幅值为9V
4.总的不失真输出电压幅值范围和Rb无关,,主要受Rc和RL的影响,但是Rb可以影响到正半周和负半周的不失真输出电压幅值,图中电路的静态工作点略偏高,使得输出电压信号正半周的不失真输出电压幅值小于负半周的不失真输出电压幅值,因此适当增大Rb的阻值可以增大正半周的不失真输出电压幅值,使电路参数设置更趋合理。
创远信科
2024-07-24 广告
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绾浔漓酱
2013-02-13 · TA获得超过4.6万个赞
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1、根据图纸,VCC=12V,UCEQ=4V,ICQ=4mA,IBQ=40uA,所以直流放大系数B(懒得打希腊字母贝塔,用B代替)=ICQ /IBQ=100.RC=(VCC-UCEQ)/ICQ=20K,Rb=(VCC-UBEQ)/IBQ=282.5K。
2、百度上图很麻烦,你自己画一条好了,过Q点,画斜率为-(1/(RC//RL)=-(1/4.615)的直线。
3、最大不失真电压输出是看两个值: VCEQ-UCES=3.5V,VCC'-UCEQ,取两者之间比较下的一个值.VCC'=(RC/(RC+RL))*VCC=9.23V,所以VCC'-UCEQ=5.23V。
3.5V,所以不失真输出电压为3.5V。
4、如果要获得更大的最大不失真输出电压,应使静态工作点减小,也就是IBQ更小,所以Rb要增大。
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无畏无知者

2013-02-13 · TA获得超过4.5万个赞
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1)Vcc=12V,
ib=40uA,Rb=(Vcc-Vbeq)/ib = (12-0.7)/40=282KΩ;
icq=4mA,Vcq=4V,Rc=(Vcc-Vcq)/icq=(12-4)/4=2KΩ;
2)负载=Rc//RL,自己画图;
3)三极管截止时,Vc'=Vcc*RL/(Rc+RL)=9V;
三极管饱和时=0.5V,所以
最大不失真正半周输出=Vc' -Vcq = 9-4=5V,
最大不失真负半周输出=Vcq-0.5 = 3.5V > 5V;则最大不失真输出=3.5V;
4)根据三极管截止饱和的临界电压值,可计算出输出信号电压的动态范围=9-0.5=8.5v,中心轴=8.5/2 >Vcq(4V),提升Vcq 到中心轴电平,可提升最大不失真输出电压幅度;
所以减小icq,即减小ib,加大Rb,才能提升Vcq ;
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