Question

1、简述基尔霍夫电流定律(KCL)和电压定律(KVL)。 2、画图说明半导体(N型)的形成原理。

1、简述基尔霍夫电流定律(KCL)和电压定律(KVL)。

2、画图说明半导体(N型)的形成原理。1、简述基尔霍夫电流定律(KCL)和电压定律(KVL)。

2、画图说明半导体(N型)的形成原理。

Answer 1

1.简述基尔霍夫电流定律(KCL)和电压定律(KVL)。
基尔霍夫电流定律（KCL）：在集总电路中，任何时刻，对任一结点，所有流出结点的支路电流的代数和恒等于零。
基尔霍夫电压定律（KVL）：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。
2、半导体(N型)的形成原理。
N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

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第二个咧

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