Question

什么存储速度会比U盘快万倍？

Answer 1

近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

新型电荷存储技术能够实现全新的第三类存储特性：写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构。它既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒—10年）的可调控数据准非易失特性；既可以在高速内存中极大降低存储功耗，还可以实现数据有效期截止后自然消失，为一些特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

这项研究创新性地选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管，制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。其中一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出；另一部分则像一面密不透风的墙，电子难以进出。对“写入速度”与“非易失性”的调控，就在于这两部分的比例。这一重要突破，从技术定义、结构模型到性能分析的全过程，均由复旦大学科研团队独立完成。《自然·纳米技术》的专家评审意见称其为“范德瓦尔斯异构结构器件发展的一个重要里程碑”。

感觉，要革新历史了！

Answer 2

吹牛逼的速度不仅可以快万倍，甚至可以快十万倍。

Answer 3

希望不要像“汉芯一号”和麒麟系统一样，最后是的赚钱的“局”

Answer 4

N年前的带独立电池的SRAM也可以