“NPN”和“PNP”的区别是什么？
“NPN”和“PNP”的区别如下：
1、定义不同
NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流 放大和开关作用。
PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。
2、PN结元件方向不同
2个PN结的方向不一致，PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极。
NPN则相反，NPN两个P结分别做集电极和发射极,电路图里标示为箭头朝内的三极管。
3、结构不同
PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，称为PNP型三极管。
NPN型三极管，是由2块N型半导体中间夹着1块P型半导体所组成的三极管，称为NPN型三极管。
一、pnp型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，称为PNP型三极管。npn型三极管，是由2块n型半导体中间夹着1块p型半导体所组成的三极管，称为npn型三极管。
我国生产的锗三极管多为PNP型，硅三极管多为NPN型，它们的结构原理是相同的。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里，NPN型管发射极箭头向外，表示电流方向。
二、npn和pnp的区别--三极管
2个PN结的方向不一致。PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极;电路图里标示为箭头朝内的三极管。NPN则相反。
三、npn和pnp的区别--传感器
PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，属于开关型传感器。但输出信号是截然相反的，即高电平和低电平。NPN输出是低电平0，PNP输出的是高电平1。PNP与NPN型传感器一般有三条引出线，即电源线VCC、0V线，out信号输出线。
1、PNP类
PNP是指当有信号触发时，信号输出线out和电源线VCC连接，相当于输出高电平的电源线。
对于PNP-NO型，在没有信号触发时，输出线是悬空的，就是VCC电源线和out线断开。有信号触发时，发出与VCC电源线相同的电压，也就是out线和电源线VCC连接，输出高电平VCC。
对于PNP-NC型，在没有信号触发时，发出与VCC电源线相同的电压，也就是out线和电源线VCC连接，输出高电平VCC。当有信号触发后，输出线是悬空的，就是VCC电源线和out线断开。
对于PNP-NC+NO型，其实就是多出一个输出线OUT，根据需要取舍。
2、NPN类
NPN是指当有信号触发时，信号输出线out和0v线连接，相当于输出低电平，ov。
对于NPN-NO型，在没有信号触发时，输出线是悬空的，就是0v线和out线断开。有信号触发时，发出与OV相同的电压，也就是out线和0V线连接，输出输出低电平OV。
对于NPN-NC型，在没有信号触发时，发出与0V线相同的电压，也就是out线和0V线连接，输出低电平0V。当有信号触发后，输出线是悬空的，就是0V线和out线断开。
对于NPN-NC+NO型，和NPN-NC+NO型类似，多出一个输出线OUT，及两条信号反相的输出线，根据需要取舍。
NPN型三极管：
NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流 放大和开关作用。
半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母B表示--B取自英文Base，基本(的)、基础(的))，其他的两个电极分别称为集电极(用字母C表示--C取自英文Collector，收集)和发射极(用字母E表示-- E取自英文Emitter，发射)。
三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。
PnP：
PnP全称Plug-and-Play，译文为即插即用。PnP的作用是自动配置低层计算机中的板卡和其他设备，然后告诉对应设备都做了什么。PnP的任务是把物理设备和软件设备驱动程序相配合，并操作设备，在每个设备和它的驱动程序之间建立通信信道。简而言之，PnP分配下列资源给设备和硬件:I/O地址、IRQ、DMA通道和内存段。
2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。
3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。
4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。
npn基极高电压，极电极与发射极短路.低电压，极电极与发射极开路.也就是不工作。
pnp基极高电压.极电极与发射极开路，也就是不工作。如果基极加低电位，集电极与发射极短路。
晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如
3
A
X
31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。
常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同
NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
NPN
是用
B→E
的电流（IB）控制
C→E
的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即
VC
>
VB
>
VE
PNP
是用
E→B
的电流（IB）控制
E→C
的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即
VC
<
VB
<
VE
总之
VB
一般都是在中间，VC
和
VE
在两边，这跟通常的
BJT
符号中的位置是一致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。
1>判别NPN与PNP
设三极管的三个脚分别为A、B、C
,
将指针式万用表打在电阻档的10K欧姆档位
,
(1)用红表笔接A脚
,
用黑表笔分别接触B脚和C脚
,
如果AB脚脚间阻抗较小
,
AC脚脚间阻抗为较大
,
则改用黑表笔接A脚
,
红表笔接C脚
,
此时其脚间阻抗仍然很大说明此三极管为NPN型三极管
;用红表笔接A脚
,
用黑表笔分别接触B脚和C脚
,
如果脚脚间阻抗都较小
,
而改用黑表笔接A脚后
,
AB、AC脚脚间阻抗都很大
,
说明此三极管为PNP型三极管
;
用红表笔接A脚
,
用黑表笔分别接触B脚和C脚
,
如果AB、AC脚脚间阻抗都很大
,
而改用黑表笔接A脚后
,
AB、AC脚脚间阻抗都较小
,
说明此三极管为NPN型三极管
;
如果改用黑表笔接A脚后
,
AB脚脚间阻抗较小
,
AC脚脚间阻抗为较大
,
说明此三极管为PNP型三极管。
2>
判别NPN与PNP的引脚
上述(1)中
,
假设的B脚为基极(b)
,
用红表笔接C脚
,
用黑表笔接A脚
,
并用拇指及食指捏紧A脚和B脚(注意不要短路)
,
记录万用表阻值
,
再用红表笔接A脚
,
用黑表笔接C脚
,
且用拇指及食指捏紧C脚和B脚测量
,
两次测量中测试阻值低的一次的黑表笔所接元件脚为集电极(c)
,
余下一脚为发射极(e)
.
(2)中假设的A脚为基极(b)
,
集电极(c)和发射极(e)的区分方法同(1)
,
但两次测量中测试阻值低的一次的红表笔所接元件脚为集电极(c)
,
余下一脚为发射极(e)
.
3>
NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
NPN
是用
B→E
的电流（IB）控制
C→E
的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即
VC
>
VB
>
VE
PNP
是用
E→B
的电流（IB）控制
E→C
的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即
VC
<
VB
<
VE
总之
VB
一般都是在中间，VC
和
VE
在两边，这跟通常的
BJT
符号中的位置是一致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位流向高电位的情况。
如今流行的电路图画法，通常习惯“男上女下”，哦不对，“阳上阴下”，也就是“正电源在上负电源在下”。那NPN电路中，E
最终都是接到地板（直接或间接），C
最终都是接到天花板（直接或间接）。PNP电路则相反，C
最终都是接到地板（直接或间接），E
最终都是接到天花板（直接或间接）。这也是为了满足上面的VC
和
VE的关系。一般的电路中，有了NPN的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到
PNP
的版本。无论何时，只要满足上面的6个“极性”关系（4个电流方向和2个电压不等式），BJT电路就可能正常工作。当然，要保证正常工作，还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件，即所谓“工作点”条件。
对于NPN电路：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC（从电位更高的地方流进C极，你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC。
如果所需的输出信号不是电流形式，而是电压形式，这时就在
C
极加一个电阻
RC，把
IC
变成电压
IC*RC。但为满足
VC>VE，
RC
另一端不接地，而接正电源。
而且纯粹从BJT本身角度，而不考虑输入信号从哪里来，共射组态和共基组态其实很相似，反正都是控制VBE，只不过一个“固定”
VE，改变VB，一个固定VB，改变VE。
对于共射组态，没有“固定参考点”了，可以理解为利用VBE随IC或IE变化较小的特性，使得不论输出电流IE怎么变化（当然也有个限度），VE基本上始终跟随VB变化（VE=VB-VBE），VB升高，VE也升高，VB降低，VE也降低，这就是电压跟随器的名称的由来。
PNP电路跟NPN是对称的，例如：
对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC（从C极流向电位更低的地方，你也可以把C极看作朝下的出水管）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC。
上面所有的VE的“固定”二字都加了引号。因为E点有时是串联负反馈的引入点，这时VE也是变化的，但这个变化是反馈信号，即由VB变化这个因造成的果。
