Question

反激电源中串联两个MOS管的方式提高耐压，下管正常PWM驱动，上管的栅极通过大电阻连到输入电压。

http://bbs.dianyuan.com/upload/space/2012/07/10/1341894911-688462.jpg
能不能帮解释这电路中双mos的工作过程？我这要是不理解这个怎么达到均压的
另外采用隔离变压器来同时驱动上下MOS，和这种方式比较那种更妥当？谢谢

Answer 1

1.你图中这个电路在工作电压较高时比较常见。
下面晶体管采用正常驱动。上面晶体管可以理解为栅极加浮动高压的源极驱动方式。
这种源极驱动方式在某些低压应用也会偶尔见到。我记得仙童最近出的几款芯片有类似应用。
这种电路没有均压功能，但由于mosfet不会出现二次击穿，故不会影响可靠性。
上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值，否则下管电应力会超标。
虽然原理上讲可以使用更多的mosfet串接起来达到更高的工作电压，但实际产品通常只有两只串联的。
两只mosfet尽量选取特性一致的，且单只耐压大于总VDS的一半，悬浮高压略低于VDS的一半。
这种电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0~100%。
2.用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。
优点当然就是可以工作在更高的电压。缺点是驱动变压器设计和绕制会有点麻烦。
而且占空比不能为0或100%。
即便占空比不是0和100%也要考虑因占空比变化引起的正负峰值的偏移。