flash存储器可以代替eeprom存储器吗?
1个回答
展开全部
单就这个问题回答,是不行的,但有些地方是可以替换的。
这里就要提到Flash与eeprom的区别了:
1、擦写次数:eeprom比flash多很多,一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次(现在有些已经到了上万次),eeprom的数据比这个大,但普通eeprom也是有限制的,若要“无限制”,可以选择FRAM,它虽然读一次和写一次都算一次操作,但操作次数可以到10的12次方级别,基本可以认为是无限。
2、擦写方式:flash是不能单字节擦写的,eeprom可以,flash的最小擦写单位通常为一个sector,大小根据不同芯片不同。
如果产品满足上述两条flash的要求(产品周期内的擦写次数较少、擦写时有足够的缓存),在这样的产品中完全可以用flash来替换eeprom,否则不行。
另外,前面提到的FRAM(铁电),除了操作次数相当高外,操作时间也很短,基本上命令发完就完成了读写操作,不需要eeprom的写等待查询。具体型号如:FM24C04(IIC接口,4kbit)
这里就要提到Flash与eeprom的区别了:
1、擦写次数:eeprom比flash多很多,一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次(现在有些已经到了上万次),eeprom的数据比这个大,但普通eeprom也是有限制的,若要“无限制”,可以选择FRAM,它虽然读一次和写一次都算一次操作,但操作次数可以到10的12次方级别,基本可以认为是无限。
2、擦写方式:flash是不能单字节擦写的,eeprom可以,flash的最小擦写单位通常为一个sector,大小根据不同芯片不同。
如果产品满足上述两条flash的要求(产品周期内的擦写次数较少、擦写时有足够的缓存),在这样的产品中完全可以用flash来替换eeprom,否则不行。
另外,前面提到的FRAM(铁电),除了操作次数相当高外,操作时间也很短,基本上命令发完就完成了读写操作,不需要eeprom的写等待查询。具体型号如:FM24C04(IIC接口,4kbit)
推荐律师服务:
若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询
广告 您可能关注的内容 |