GTO能够自关断，而普通晶闸管不能的原因：
尽管GTO与普通单向晶闸管的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。
这是由于普通单向晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和状态。所以，在可关断晶闸管的门极上加负向触发信号后，通态电流开始下降，使管子不能维持内部电流的正反馈。此过程经过一定时间后，GTO即可关断。
扩展资料
1、GTO，门极关断晶闸管：是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件，既保留了普通单向晶闸管耐压高、电流大的特性，又具备了自关断能力，且关断时间短，不需要复杂的换向电路，工作频率高，使用方便，但对关断脉冲信号的脉冲功率和门极负向电流的上升率要求较高。
2、SCR，普通晶闸管：它有三个极：阳极，阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，普通晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，普通晶闸管关断。
GamryRaman
2023-06-12 广告
GTO不是单一的PNPN结构，二是是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，在其共同作用下实现关断功能。
晶闸管是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，是典型的小电流控制大电流的设备。晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流。下图为晶闸管的符号，结构，等效电路示意。
从晶闸管等效电路看其导通过程：
触发电流 Ig 形成 T2 的 Ix2 电流，使 T2 导通；
T2 导通形成的远大于 Ig 的 Ix1 电流，使 T1 导通；
T1 导通产生的远大于 Ix1 的电流 Ic1，使 Ix1 大大增强；
上述过程相互作用，这时即使撤销 Ig ，最后最后仍能使T1,T2进入饱和导通状态。
从晶闸管的导通过程看，要使晶闸管退出导通，可有两个途径：一是撤销 A K 间的正向电压；二是在 P2，N2 之间如下图所示施加一个反向电流（电压）。由于在导通状态下，流经N2的电流就是晶闸管的负载（工作）电流，要在上边加一个反向电流，无论从负载的角度，还是触发的角度看，普通晶闸管都是难以实现的。所以，普通晶闸管只能通过触发电流导通，不能通过反向触发关断。
GTO是可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor)的简称。它具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高，电流大等。同时它又是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电流触发下关断。
GTO与普通晶闸管的相同点在于：都是PNPN四层半导体结构，外部引出阳极，阴极和门极。
GTO与普通晶闸管的不同点在于：GTO是一种多元的功能集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。下面是 GTO的内部结构和电气图形符号。其中：(a)各单元的阴极、门极间隔排列的图形(b)并联单元结构断面示意图。
GTO实现关断的原理见上面的“关断等效电路”；
实现关断的要点在于：
通过功能集成使晶闸管导通时处于临界饱和状态，便于退出饱和状态；
通过功能集成将关断过程分解为多个关断过程的集合（可理解为关断n个小电流的晶闸管）。
1.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得， 1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。1 a + 2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通； 1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而关断。
2.GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：
1) GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；
2) GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 3?1.15，而GTO 则为1 a + 2 a ?1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；
3) 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
3.实现关断的要点在于：
（1）通过功能集成使晶闸管导通时处于临界饱和状态，便于退出饱和状态；
（2）通过功能集成将关断过程分解为多个关断过程的集合（可理解为关断n个小电流的晶闸管）。
拓展资料：
1.晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和控制极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
2.晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
3.晶闸管（Thyristor）是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。1957年，美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品，并于1958年使其商业化。
参考资料：百度百科：晶闸管
别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得， 1 a + 2 a =1 是器件临界导通
的条件。1 a + 2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通； 1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而
关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和
工艺方面有以下几点不同：
1) GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；
2) GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 3?1.15，而GTO 则为
1 a + 2 a ?1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利
条件；
3) 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得
P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
