彩电高压包的原理与结构?
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高压包是以显像管为显示设备的电器中,最重要的元件,提供显像管所需要的各种电压,有的还提供其他电路需要的脉冲信号。
把行频电流升压,然后经多个二极管和电容,倍压整流成20000V左右的高压直流电,结构图用来吸引显像管电子枪发射出的电子束,以保证电子束可以有效打到屏幕上成像。之所以为了产生这么高电压,是因为屏幕要有足够亮度,电子运动速度越快,亮度越高,所以屏幕越大电压越高。
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注意事项:
1、每台电视机显示器里的高压包型号都不一样,维修者在换电视机高压包时要注意认清型号。这样才能避免引起一系列不必要的危险。
2、将电视的电源关闭,利用万用表的表笔(也可依样自制一个)对高压包进行放电,因为电视关闭后,还会残存部分高压,先把表笔短的一端的金属针接在显像管边上的地线上,然后手握表笔的塑胶部分,将表针插入高压包和显像管之间进行放电。
3、左右将高压包一侧拉起,右手用尖嘴钳夹着弹簧卡子,从拉起高压包的一侧倾斜拉出。将高压线和卡子焊脱退出高压包,拆下高压包,将高压线穿入新的高压包,并和卡子焊接。
参考资料来源:百度百科-高压包
参考资料来源:百度百科-彩电
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高压包,正名是行输出变压器,也称为行包或行变,显示器的高压包和电视机的工作原理基本一致,其主要作用是产生阳极高压,另外提供聚焦、加速、栅极等各路电压。注意偏转电流的能量提供者并不是高压包,而是S校正电容,在行管截止时,B+电压通过高压包、偏转线圈对S电容充电,电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温、高频率、高电压、大电流的状态,加上外部环境潮湿或多尘等因素影响,使高压包损坏几率较高。
二、引起高压包损坏的病灶。
1、包内高压滤波电容击穿。
2、包内高压线圈匝间短路。
3、包内高压硅堆漏电或击穿。
4、包内初次级线圈短路
5、包内聚焦组件老化,使聚焦及加速电压不稳定。
6、包体绝缘性能下降,使高压包对内或对外打火。
三、与高压包相关的关键词及专业术语。
1、HV——阳极高压。随着显示器尺寸不同,HV电压也不同。通常14/15寸机的HV值是24KV到25KV;17寸机是27KV到29KV,19寸和21寸机是30KV到35KV。
2、FV——聚焦电压,有时称为G4。FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得,电压值是3KV到9KV。如果是双聚焦的,就分为FV1和FV2,其实是内部多设一组电位器而已。
3、SV——加速极电压,也称为G2。SV/G2电压也从HV端分压取得,其电压值是300V到800V。注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压,而是在包内另设绕组,或在行管C极将逆程峰值整流获得,这样做的目的是使SV/G2受到电路控制,方便工业装配。注意在行管C极整流时获得SV/G2电压时,必须采用高速整流管,否则响应不到逆程峰值,只能得到与B+一样的电压。
4、DF——动态聚焦。显示器尺寸增大时,屏幕中央和四周的聚焦就容易变得不均匀,就需要加入动态聚焦电路,使FV电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中,动聚通常加入到水平聚焦极中。其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。
5、SFR——包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端,通常是接地的,但有些机型将其用作信号取样,在高压变动时使电路作出补偿。
6、HVR——包内HV端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于HV端,阻值大到必须兆欧表才能测量。其作用也是HV变动检测。
7、HVC——包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地,但有些机型将其用作信号取样,检测高压变动。
8、G1——栅极负电压。通常在包内绕组获得,G1电压值是-100V到-200V。控制G1电压可控制光栅亮度,进入显象管的G1电压是-30V到-100V,关机消亮点通常也在G1控制电路内完成,使关机时G1负压变低,显象管就被截止了。注意有些机型的G1电压是固定的甚至是接地的,它们的亮度控制方式是改变三枪阴极的电压,关机消亮点方式是瞬间降低阴极电压,光栅瞬时高亮,将高压释放掉。两种亮度控制方式各有优劣,调制G1可得到较大的亮度范围,但期间白平衡不均匀;调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定,但范围较小。
9、AFC——行逆程脉冲。AFC原意是自动频率控制,在显示器中,送入扫描芯片的同步信号、CPU需要的行检测信号和OSD菜单所需要的行脉冲,都泛指为AFC。AFC取样可以在高压包内绕组输出,也可以在行管C极用分压电压取得,后者故障率较高。
10、FB——高压或二次电源取样信号。FB原意是频率返回,也就是行回扫脉冲,在显示器中,FB电压常作为高压包输出电压的参考点,反馈回二次电源,实现B+电压稳定输出。有时FB信号也与AFC信号混在一起,并没有特别要求要独立取样。
11、ABL——自动亮度控制。ABL端总是内接高压绕组的冷端,用来检测HV的电流大小,当亮度过大时,HV电流必然增大,ABL电路检测到这个情况,就可作出反应限制亮度再增加。建议维修人员配备100K电阻量程的万用表(MF10型)或兆欧表,就可测量ABL端到HV帽的电阻,来判断高压硅堆是否有短路或漏电;又可以测量包内高压电容是否漏电。注意10K电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。
12、初次级绕组——接在高压包B+输入端和行管端的就是初级线圈,其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多,发生故障几率非常小;而次级高压线包的线径极小而匝数极多,就容易发生匝间短路。
13、电感量——交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。对直流电而言,线圈的阻抗为零(忽略线材本身的电阻率),但对于高频信号,三几圈的感抗也很大。电感量的单位是ML(毫亨)。
14、正程和逆程——简单的说行管导通时就是扫描正程,截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包(正程时高压包储能,逆程时释放能量)。
15、正程和逆程整流——由于正程和逆程的峰值相差8到10倍,因此一个绕组采用不同的整流方式,所产生的电压值也就相差8到10倍。正程整流的电压低但电流大;逆程整流的电压高而电流小,但两者的输出功率相同。
16、绕组的极性——因为扫描正程和逆程的峰值不同,绕组的输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动,那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的;如果要在磁芯中加绕线圈,就不能不注意其极性了。以800*600*60的分辩率即37K行频,在磁芯中绕一圈为例,将高压包引脚朝下,磁芯对着自己,则左边的线头是正端,右边的线头是负端。将负端接地,在正端接以正整流可得到约20V电压,接以负整流可得到-3V电压;将正端接地,在负端接以正整流可得到3V电压,接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚,在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流,反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同,但具体差距并不太大,在绕线估算电压时可以作为参考。
17、高压独立——高压包和行偏转分离的电路形式。在传统行输出电路中,高压电流和偏转电流都要经过行管,使之负担较重,故障频生,于是新型的设计将高压电路独立出来,可以设计出更高效的电路形式,实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。
18、高压独立的电路结构——现在的高压独立电路大约有5种类型。
1)采用二次电源调整的单管输出形式。如下图,以SONY-200GS为例,170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包,开关管一只单独的场效应管,这种方式与传统的行输出相类似。
2)没有二次电源的单管输出形式。如下图,以SONY-E220为例,80V电压直接输入高压包,开关管是一只单独的场效应管,这种方式要求开关管的激励控制电路,能控制较大的占空比,以得到较大的高压调整范围。
3)采用高电压的双管对称输出方式。如下图,以EMC/CTX等机型较多采用,180V电压直接输入高压包,再接入一只N型场效应管,该管导通时初级线圈储能;在初级线圈两端反接一只P型场效应管,输入反相的激励,在N型管截止时它就导通,将初级线圈能量快速释放,次级就感应出电压。
4)采用低电压的双管对称输出方式。如下图,以飞利浦机芯较多采用,80V电压直接输入高压包,再接入一只N型场效应管;另外在高压包设一个绕组,其输出接一只场效应管。激励信号被分成两路,一路驱动初级线圈开关管,使之导通时高压包储能;另一路倒相后驱动另外一只管,使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间的关系是一只导通则另一只截止。
5)采用储能变压器的双管输出方式。如下图,这种方式最为复杂,以三星、DELL机芯较多采用。190V电压先输入一只普通行管的C极,B极加以行激励,E极就输出以行频变化的方波,峰值仍是190V,之后进入储能变压器再到场效应管,另外行管E极也接到高压包初级,由高压包出来后以一只放电电容接回行管C极。在场效应管导通时变压器储能,在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行频变化的方波,提高效率,作用与一只二次电源管相当,真正的开关管是场效应管。
19、高压独立高压包的绕组特点——由于在高压包内的电流近似于方波,效率很高,它的初级绕组圈数就设计得较少(比传统高压包初级少1到3倍匝数);同时由于正程和逆程的差别较小,那么在磁芯上绕取线圈所得到的电压就有所不同,与上述15、16项对比,无论绕组在哪头接地,无论正整流还是负整流,所获得的电压值基本一样(类似于市电的交流变压器输出),也正是由于其初级匝数少,按照感应比例,次级每匝将获得较高的电压,在800*600*60分辩率下,每圈的电压是6V到8V,比传统高压包在正程时每圈仅获得3V的电压值要高。
详情请看链接
http://wenku.baidu.com/view/05dbc21555270722192ef7e4.html
二、引起高压包损坏的病灶。
1、包内高压滤波电容击穿。
2、包内高压线圈匝间短路。
3、包内高压硅堆漏电或击穿。
4、包内初次级线圈短路
5、包内聚焦组件老化,使聚焦及加速电压不稳定。
6、包体绝缘性能下降,使高压包对内或对外打火。
三、与高压包相关的关键词及专业术语。
1、HV——阳极高压。随着显示器尺寸不同,HV电压也不同。通常14/15寸机的HV值是24KV到25KV;17寸机是27KV到29KV,19寸和21寸机是30KV到35KV。
2、FV——聚焦电压,有时称为G4。FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得,电压值是3KV到9KV。如果是双聚焦的,就分为FV1和FV2,其实是内部多设一组电位器而已。
3、SV——加速极电压,也称为G2。SV/G2电压也从HV端分压取得,其电压值是300V到800V。注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压,而是在包内另设绕组,或在行管C极将逆程峰值整流获得,这样做的目的是使SV/G2受到电路控制,方便工业装配。注意在行管C极整流时获得SV/G2电压时,必须采用高速整流管,否则响应不到逆程峰值,只能得到与B+一样的电压。
4、DF——动态聚焦。显示器尺寸增大时,屏幕中央和四周的聚焦就容易变得不均匀,就需要加入动态聚焦电路,使FV电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中,动聚通常加入到水平聚焦极中。其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。
5、SFR——包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端,通常是接地的,但有些机型将其用作信号取样,在高压变动时使电路作出补偿。
6、HVR——包内HV端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于HV端,阻值大到必须兆欧表才能测量。其作用也是HV变动检测。
7、HVC——包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地,但有些机型将其用作信号取样,检测高压变动。
8、G1——栅极负电压。通常在包内绕组获得,G1电压值是-100V到-200V。控制G1电压可控制光栅亮度,进入显象管的G1电压是-30V到-100V,关机消亮点通常也在G1控制电路内完成,使关机时G1负压变低,显象管就被截止了。注意有些机型的G1电压是固定的甚至是接地的,它们的亮度控制方式是改变三枪阴极的电压,关机消亮点方式是瞬间降低阴极电压,光栅瞬时高亮,将高压释放掉。两种亮度控制方式各有优劣,调制G1可得到较大的亮度范围,但期间白平衡不均匀;调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定,但范围较小。
9、AFC——行逆程脉冲。AFC原意是自动频率控制,在显示器中,送入扫描芯片的同步信号、CPU需要的行检测信号和OSD菜单所需要的行脉冲,都泛指为AFC。AFC取样可以在高压包内绕组输出,也可以在行管C极用分压电压取得,后者故障率较高。
10、FB——高压或二次电源取样信号。FB原意是频率返回,也就是行回扫脉冲,在显示器中,FB电压常作为高压包输出电压的参考点,反馈回二次电源,实现B+电压稳定输出。有时FB信号也与AFC信号混在一起,并没有特别要求要独立取样。
11、ABL——自动亮度控制。ABL端总是内接高压绕组的冷端,用来检测HV的电流大小,当亮度过大时,HV电流必然增大,ABL电路检测到这个情况,就可作出反应限制亮度再增加。建议维修人员配备100K电阻量程的万用表(MF10型)或兆欧表,就可测量ABL端到HV帽的电阻,来判断高压硅堆是否有短路或漏电;又可以测量包内高压电容是否漏电。注意10K电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。
12、初次级绕组——接在高压包B+输入端和行管端的就是初级线圈,其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多,发生故障几率非常小;而次级高压线包的线径极小而匝数极多,就容易发生匝间短路。
13、电感量——交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。对直流电而言,线圈的阻抗为零(忽略线材本身的电阻率),但对于高频信号,三几圈的感抗也很大。电感量的单位是ML(毫亨)。
14、正程和逆程——简单的说行管导通时就是扫描正程,截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包(正程时高压包储能,逆程时释放能量)。
15、正程和逆程整流——由于正程和逆程的峰值相差8到10倍,因此一个绕组采用不同的整流方式,所产生的电压值也就相差8到10倍。正程整流的电压低但电流大;逆程整流的电压高而电流小,但两者的输出功率相同。
16、绕组的极性——因为扫描正程和逆程的峰值不同,绕组的输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动,那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的;如果要在磁芯中加绕线圈,就不能不注意其极性了。以800*600*60的分辩率即37K行频,在磁芯中绕一圈为例,将高压包引脚朝下,磁芯对着自己,则左边的线头是正端,右边的线头是负端。将负端接地,在正端接以正整流可得到约20V电压,接以负整流可得到-3V电压;将正端接地,在负端接以正整流可得到3V电压,接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚,在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流,反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同,但具体差距并不太大,在绕线估算电压时可以作为参考。
17、高压独立——高压包和行偏转分离的电路形式。在传统行输出电路中,高压电流和偏转电流都要经过行管,使之负担较重,故障频生,于是新型的设计将高压电路独立出来,可以设计出更高效的电路形式,实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。
18、高压独立的电路结构——现在的高压独立电路大约有5种类型。
1)采用二次电源调整的单管输出形式。如下图,以SONY-200GS为例,170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包,开关管一只单独的场效应管,这种方式与传统的行输出相类似。
2)没有二次电源的单管输出形式。如下图,以SONY-E220为例,80V电压直接输入高压包,开关管是一只单独的场效应管,这种方式要求开关管的激励控制电路,能控制较大的占空比,以得到较大的高压调整范围。
3)采用高电压的双管对称输出方式。如下图,以EMC/CTX等机型较多采用,180V电压直接输入高压包,再接入一只N型场效应管,该管导通时初级线圈储能;在初级线圈两端反接一只P型场效应管,输入反相的激励,在N型管截止时它就导通,将初级线圈能量快速释放,次级就感应出电压。
4)采用低电压的双管对称输出方式。如下图,以飞利浦机芯较多采用,80V电压直接输入高压包,再接入一只N型场效应管;另外在高压包设一个绕组,其输出接一只场效应管。激励信号被分成两路,一路驱动初级线圈开关管,使之导通时高压包储能;另一路倒相后驱动另外一只管,使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间的关系是一只导通则另一只截止。
5)采用储能变压器的双管输出方式。如下图,这种方式最为复杂,以三星、DELL机芯较多采用。190V电压先输入一只普通行管的C极,B极加以行激励,E极就输出以行频变化的方波,峰值仍是190V,之后进入储能变压器再到场效应管,另外行管E极也接到高压包初级,由高压包出来后以一只放电电容接回行管C极。在场效应管导通时变压器储能,在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行频变化的方波,提高效率,作用与一只二次电源管相当,真正的开关管是场效应管。
19、高压独立高压包的绕组特点——由于在高压包内的电流近似于方波,效率很高,它的初级绕组圈数就设计得较少(比传统高压包初级少1到3倍匝数);同时由于正程和逆程的差别较小,那么在磁芯上绕取线圈所得到的电压就有所不同,与上述15、16项对比,无论绕组在哪头接地,无论正整流还是负整流,所获得的电压值基本一样(类似于市电的交流变压器输出),也正是由于其初级匝数少,按照感应比例,次级每匝将获得较高的电压,在800*600*60分辩率下,每圈的电压是6V到8V,比传统高压包在正程时每圈仅获得3V的电压值要高。
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了解彩电行输出变压器的原理和结构,建议你看看百度文库里面的这篇文章,这篇文章写的是非常专业。http://wenku.baidu.com/view/05dbc21555270722192ef7e4.html
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