MOS管开关电路
以上我是从网上下载的的S8254芯片的标准电路图,我有些不清楚的地方,麻烦大家解释下:1这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rco...
以上我是从网上下载的的S8254芯片的标准电路图,我有些不清楚的地方,麻烦大家解释下:
1 这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rcop上拉电阻如果达到1M,那么A处还是高电平吗?
2 图中标识的放电用FET,我大概分析下是:NMOS管的栅极B如果是低电平,那么放电用MOS管应该是导通的,此时电流流向是D流向S的,这个分析对吗? 展开
1 这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rcop上拉电阻如果达到1M,那么A处还是高电平吗?
2 图中标识的放电用FET,我大概分析下是:NMOS管的栅极B如果是低电平,那么放电用MOS管应该是导通的,此时电流流向是D流向S的,这个分析对吗? 展开
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1 这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rcop上拉电阻如果达到1M,那么A处还是高电平吗? 答:正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平。即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平,只是阻值太高容易引入干扰,所以取几K的阻值就好。
2 图中标识的放电用FET,我大概分析下是:NMOS管的栅极B如果是低电平,那么放电用MOS管应该是导通的,此时电流流向是D流向S的,这个分析对吗?答:应该DOB是高电平时放电FET导通。
2 图中标识的放电用FET,我大概分析下是:NMOS管的栅极B如果是低电平,那么放电用MOS管应该是导通的,此时电流流向是D流向S的,这个分析对吗?答:应该DOB是高电平时放电FET导通。
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