Question

谁知道IGBT最高耐压是多少？最高耐流是多少？工作稳定吗？

尽快

Answer 1

耐压和耐流多少是IGBT分类的主要2个标准。例如：
IGBT耐压等级一般有：600V，1200V，1700V，2500V，3300V，4500V，6500V。
电流低的用单管封装，电流大的用模块封装。而且一般IGBT和FRD（快恢复二极管或FWD续流二极管）并联封装在一起。例如1200V等级低电流的有：15A、20A、25A。模块封装的有：75A，100A，300A，400A，600A，800A，1200A，2400A，3600A等。
关于工作稳定问题，个人认为（经验不足，请批评指正）：IGBT和应用系统设计密切关联，过流、过压、过频、高温（冷却系统设计不合理）、大寄生电感等都会烧毁IGBT。

Answer 2

管子型号 最高耐压(V） 最大电流IC（A） 管内是否含阻尼二极管
20N120CND 1200 20 有
K25T120 1200 25 有
G40N150D 1500 40 有
5GL40N150D 1500 40 有
G4PH50UD 1500 40 有
GT40q321 1300 40 有
GT40T101 1000 40 无
G40T101 1000 40 无
GT40T301 1300 40 无
SQB35JA 1500 35 有
G30P120N 1200 30 无
GPQ25101 1000 25 有
GTl53101 1000 15 无
GT8Q191 1900 8 有
GT50J101 1000 50 无
GT50j102 1000 50 无
GT50J301 1300 50 无
GT60M104 1000 60 无
GT60M301 1300 60 无
GT75AN-12 1200 75 无
15Q101 1000 15 有
25Q101 1000 25 有
80J101 1000 80 无
JHT20T120 1200 20 有
SKW25N120 1200 25 有(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。
(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。
(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管

Answer 3

请给出具体的igbt型号，目前最大的能做到7千伏，电流可以通过串联提升。igbt本身由于是由PiN和MOSFET组成，内部特性决定了他的导通电压随温度漂移不大。适合在复杂环境下使用。