Question

急啊二极管三极管名称的序号和规格代表什么

Answer 1

希望采纳 谢谢1、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号
例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

2、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:
第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

3、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分:美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下:
第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分:O-表示半导体器件
第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。 9013完整的型号是KTC9013（韩国的）或SS9013（美国的）就9013这4个数字只是代表该器件在登记 时的序号。

Answer 2

你好 希望采纳 谢谢1、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

2、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

3、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。 9013完整的型号是ＫＴＣ９０１３（韩国的）或ＳＳ９０１３（美国的）就９０１３这４个数字只是代表该器件在登记　时的序号！

Answer 3

国产二极管的型号命名及含义 　　 国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见下表。 　　第一部分用数字“2”表示主称为二极管。 　　第二部分用字母表示二极管的材料与极性。 　　第三部分用字母表示二极管的类别。 　　第四部分用数字表示序号。 　　第五部分用字母表示二极管的规格号。 第一部分： 　　主称 第二部分： 　　材料与极性 第三部分：类别 第四部分： 　　序号 第五部分： 　　规格号 　　数字 含义 字母 含义 字母 含义 用数字表示同一类别产品序号 用字母表示产品规格、档次 　　2 二极管 A N型锗材料 P 小信号管（普通管） 　　W 电压调整管和电压基准管（稳压管） 　　L 整流堆 　　B P型锗材料 N 阻尼管 　　Z 整流管 　　U 光电管 　　C N型硅材料 K 开关管 　　B或C 变容管 　　V 混频检波管 　　D P型硅材料 JD 激光管 　　S 遂道管 　　CM 磁敏管 　　E 化合物材料 H 恒流管 　　Y 体效应管 　　EF 发光二极管 　　例如： 　　2AP9(N型锗材料普通二极管 2CW56(N型硅材料稳压二极管) 　　2——二极管 2——二极管 　　A——N型锗材料 C——N型硅材料 　　P——普通型 W——稳压管 　　9——序号 56——序号 　　（二）国产三极管的型号命名方法 　　 国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分的含义见下表。 　　第一部分用数字“3”表示主称和三极管。 　　第二部分用字母表示三极管的材料和极性。 　　第三部分用字母表示三极管的类别。 　　第四部分用数字表示同一类型产品的序号。 　　第五部分用字母表示规格号。 　　第一部分： 主称 第二部分： 三极管的材料和特性 第三部分：类别 第四部分： 序号 第五部分： 规格号 　　数字 含义 字母 含义 字母 含义 用数字表示同一类型产品的序号 用字母A或B、C、D……等表示同一型号的器件的档次等 　　3 三极管 A 锗材料、PNP型 G 高频小功率管 　　X 低频小功率管 　　B 锗材料、NPN型 A 高频大功率管 　　D 低频大功率管 　　C 硅材料、NPN型 T 闸流管 　　K 开关管 　　D 硅材料、NPN型 V 微波管 　　B 雪崩管 　　E 化合物材料 J 阶跃恢复管 　　U 光敏管（光电管） 　　J 结型场效应晶体管 　　国产晶闸管的型号命名方法 　　 国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成， 　　各部分的含义见下表。 　　第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。 　　第二部分用字母表示晶闸管的类别。 　　第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。 　　第四部分用数字表示重复峰值电压级数。
第一部分： 　　主称 第二部分： 　　类别 第三部分： 　　额定通态电流 第四部分： 　　重复峰值电压级数 　　字母 含义 字母 含义 数字 含义 数字 含义 　　K 晶闸管 　　（可控硅） P 普通反向 　　阻断型 1 1A 1 100V 　　5 5A 2 200V 　　10 10A 3 300V 　　20 20A 4 400V 　　K 快速反向 　　阻断型 30 30A 5 500V 　　50 50A 6 600V 　　100 100A 7 700V 　　200 200A 8 800V 　　S 双向型 300 300A 9 900V 　　400 400A 10 1000V 　　500 500A 12 1200V 　　14 1400V 　　例如： 　　KP1-2（1A 200V 普通反向阻断型晶闸管） KS5-4（5A 400V 双向晶闸管） 　　K——晶闸管 K——晶闸管 　　P——普通反向阻断型 S——双向管 　　1——通态电流1A 5——通态电流5A 　　2——重复峰值电压200V 4——重复峰值电压400V 　　国产电子管的型号命名由部分组成，各部分的含义见下表。 　　第一部分用数字表示灯丝电压值。 　　第二部分用字母表示电子管的类型（结构与用途）。 　　第三部分用数字表示电子管的序号及性能。 　　第四部分用字母表示电子管的材料和形状。 　　国产电子管的型号命名及含义 第一部分：灯丝电压 　　第二类型：类型 　　第三部分： 　　序号及性能 　　第四部分： 　　材料及外形 　　数字 含义 字母 含义 　　用数字表示同类型管的序号及性能 　　字母 含义 　　1 1.2V A 变频管 P 具有玻璃外壳的电子管 　　B 　　双二极五极管 　　C 三极管 　　D 二极管 　　2 2.4V E 　　调谐指示管 　　F 　　三极五极管 　　G 　　双二极三极管 J 橡实管 　　3 6.3V H 　　双二极管 　　J 　　锐截止五极管、束射四极管 　　K 　　遥截止五极管、束射四极管 　　4 12.6V N 　　双三极管 　　P 　　输出五极管束射四极管 无字母 花生管 　　S 四极管 　　U 　　三极六极管 　　三极七极管 　　Z 　　小功率二极整流管 　　例如： 　　12N10P（灯丝电压为12.6V的玻璃外壳双三极电子管 　　12——灯丝电压为12.6V 　　N——双三极管 　　10——序号 　　P——玻璃外壳