如何用单片机汇编语言实现DS18B20 的精度转换 也就是如何修改暂存器中的R1 R0 两位
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不明白为什么要修改精度。从来都是用的默认的最高精度,当然速度会慢点,不管是1820还是温度,都不是一个速度变化很快的东西,速度慢点无所谓。如果需要降低精度,把低位丢弃就行。
修改暂存器的方法记得不是很清楚,大概的算法思路是先用一个操作将数据写到 scrachpad 中,再用另一个操作将数据保存到EE2Prom中。
希望能够帮到你
修改暂存器的方法记得不是很清楚,大概的算法思路是先用一个操作将数据写到 scrachpad 中,再用另一个操作将数据保存到EE2Prom中。
希望能够帮到你
追问
我见到的所有RAM指令好像都是改写第3.4位的,,,这个精度的暂存器好像是EE2rom的第5位,,,能具体的写下么?
追答
你可以看一下DS18B20手册的OPEARTION EXAMPLE 2,
先用0x4EWrite Scratchpad command把要写的数据写到scratchpad,一共3个字节,再用0x48 Copy Scratchpad command把Scratchpad中的内容复制到EEPROM,这样再掉电数据就不会丢了。复制之前可以把数据读回来校验一下,更保险一些。
你说的R1 R0两位是要写的3个字节中的第三个字节的其中两位。建议你把这两位保持在默认状态,不要改。
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