PNP NPN 这两个三极管的导通原理

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推荐于2016-03-20 · TA获得超过4.5万个赞
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1:PNP三极管
PNP型三极管,由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管。也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管。
三极管导通时IE=(放大倍数+1)*IB和ICB没有关系,ICB=0 ICB>0时,可能三极管就有问题,所以三极管在正常工作时,不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0
当UEB>0.7V(硅)(锗0.2V),RC/RB<放大倍数时,三极管工作在饱和区,反之就工作在放大区
2:NPN三极管
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的
匿名用户
推荐于2017-12-15
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PNP: 主要电流成分:空穴电流BE结正偏,其耗尽层的发射区一侧空穴的准费米能级降低,积累空穴,空穴向基区扩散增强;BE结内载流子浓度稀少,复合忽略,绝大部分空穴进入基区;由于基区很薄,且施主浓度很低,所以复合也很少,空穴可以进一步扩散至BC结;而BC结反偏,其耗尽层在基区一侧的空穴会被Vbe和PN结的内建电场共同扫入集电区。这样就形成了Ibc。----此外BE结处还会有少量基区的电子扩散入发射区。但基区掺杂远小于发射区,估此电流可忽略。
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