pnp三极管怎么判断正偏还是反偏
对于NPN晶体管基极电压为-0.几伏，就为反偏，基极与发射极电压0.1V以上都为正偏。PNP管正好相反。
拓展资料：
1. 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
2. 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
3. 三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。
如图所示：
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
扩展资料：
放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
参考资料来源：百度百科-三极管
对于PNP三极管而言,如果要使PNP三极管导通,那么基极与发射极(发射结)正偏,即:基极(N)电势要比发射极(P)电势低,(这就是发射结正偏).还需要基极(N)电势要比集电极(P)电势高,(集电结反偏).经典接法就是如图.
对于NPN三极管而言,如果要使NPN三极管导通,那么基极与发射极(发射结)正偏,即:基极(P)电势要比发射极(N)电势高,(这就是发射结正偏).还需要基极(P)电势要比集电极(N)电势低,(集电结反偏).
