下列关于电场强度的说法中，正确的是（ ）
A.公式E=F/q只适用于真空中电荷产生的电场B.由公式E=F/q可知，电场中某点的电场强度E与试探电荷在电场中该点所受的电场力成正比C.在公式F=kQ�6...
A. 公式E=F/q只适用于真空中电荷产生的电场B. 由公式E=F/q可知，电场中某点的电场强度E与试探电荷在电场中该点所受的电场力成正比C. 在公式F=kQ�6�9Q�6�0/r�0�32中，kQ�6�9/r�0�32是点电荷Q�6�0产生的电场在点电荷Q�6�9处的场强大小；kQ�6�0/r�0�32是点电荷Q�6�9产生的电场在点电荷Q�6�0处的场强大小 请附上说明。D. 由公式E=kQQ/r�0�32 可知，在离点电荷非常靠近的地方（r→0）, 电场强度E可达无穷大
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选C，A。适用与任何电场B，场强由比值定义法定义，与F和试探电荷无关，是电场本身的性质D.当无限趋近时，电荷的体积，大小，形状便不能忽略，公式也不适用了
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GamryRaman
2023-06-12 广告
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必......
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