半导体材料中形成pn结,是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体? P型硅中是怎么形成pn结的?求解
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PN结的形成---
在一块晶体两边分别形成P型和N型半导 体。图中 代表得到一个电子的三价杂质(例如硼)离子,带负电; 代表失去一个电子的五价杂质(例如磷)离子带正电。由于P区有大量空穴(浓度大),而N区的空穴极少(浓度小),因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。
多数载流子将扩散形成耗尽层;
耗尽了载流子的交界处留下不可移动的离子形成空间电荷区;(内电场)
内电场阻碍了多子的继续扩散。
空间电荷区的内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用。但对少数载流子(P区的自由电子和N区的空穴)则可推动它们越过空间电荷区,进入对方。少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。
扩散和漂移是互相联系,又是互相矛盾的。在
开始形成空间电荷区时,多数载流子的扩散运动
占优势。但在扩散运动进行过程中,空间电荷区
逐渐加宽,内电场逐步加强。于是在一定条件下
(例如温度一定),多数载流子的扩散运动逐渐减
弱,而少数裁流子的漂移运动则逐渐增强。最后
扩散运动和漂移运动达到动态平衡。达到平衡后
空间电荷区的宽度基本上稳定下来,PN结就处于
相对稳定的状态。
在一块晶体两边分别形成P型和N型半导 体。图中 代表得到一个电子的三价杂质(例如硼)离子,带负电; 代表失去一个电子的五价杂质(例如磷)离子带正电。由于P区有大量空穴(浓度大),而N区的空穴极少(浓度小),因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。
多数载流子将扩散形成耗尽层;
耗尽了载流子的交界处留下不可移动的离子形成空间电荷区;(内电场)
内电场阻碍了多子的继续扩散。
空间电荷区的内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用。但对少数载流子(P区的自由电子和N区的空穴)则可推动它们越过空间电荷区,进入对方。少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。
扩散和漂移是互相联系,又是互相矛盾的。在
开始形成空间电荷区时,多数载流子的扩散运动
占优势。但在扩散运动进行过程中,空间电荷区
逐渐加宽,内电场逐步加强。于是在一定条件下
(例如温度一定),多数载流子的扩散运动逐渐减
弱,而少数裁流子的漂移运动则逐渐增强。最后
扩散运动和漂移运动达到动态平衡。达到平衡后
空间电荷区的宽度基本上稳定下来,PN结就处于
相对稳定的状态。
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