Question

场效应管RJP30E2耐压和功率分别是多少?

Answer 1

电子元器件市场中，以场效应晶体管最受电子工程师的青睐与喜爱，可是对于场效应晶体管的参数，大家都是一筹莫展，因为场效应晶体管的参数有很多，其中包括直流参数、交流参数和极限参数等，但普通运用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流IDSS夹断电压Up，（结型管和耗尽型绝缘栅管，或开启电压UT（加强型绝缘栅管）、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、耗散功率PDSM和漏源电流IDSM。

（1）饱和漏源电流

饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。

（2）夹断电压

夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道管的UGS一ID曲线，可明白看出IDSS和UP的意义。

（3）开启电压

开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

（4）跨导

跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制才能，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡场效应晶体管放大才能的重要参数。

（5）漏源击穿电压

漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应晶体管正常工作所能接受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应晶体管上的工作电压必需小于BUDS。

（6）耗散功率

耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应晶体管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。运用时场效应晶体管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。

（7）漏源电流

漏源电流IDSM是另一项极限参数，是指场效应晶体管正常工作时，漏源间所允许经过的电流。场效应晶体管的工作电流不应超越IDSM。

Answer 2

RJP30E2DPP-M0 - IGBT晶体管
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 360V
集电极--发射极饱和压降 (Ucesat): 1.7V
在25 C的连续集电极电流 (Ic): 35A
封装形式: TO220FL
代换, 替换 RJP30E3DPP-M0 RJP30K3DPP-M0 RJP60D0DPP-M0

Answer 3

RJP30E2DPP-M0 - IGBT晶体管
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 360V
集电极--发射极饱和压降 (Ucesat): 1.7V
在25 C的连续集电极电流 (Ic): 35A
封装形式: TO220FL
代换, 替换 RJP30E3DPP-M0 RJP30K3DPP-M0 RJP60D0DPP-M0

Answer 4

　　RJP30E2DPP-M0 - IGBT晶体管参数：
　　集电极--发射极击穿电压 (Uce): 360V
　　集电极--发射极饱和压降 (Ucesat): 1.7V
　　在25 °C的连续集电极电流 (Ic): 35A
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。