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半导体材料主要按发展历程分为三代。
第一代材料:硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体。其中,Si材料以其良好的性能、丰富的储备(Si元素占地壳重量的20%-25%)、稳定氧化物SiO2生成工艺的简便、工艺线的成熟,而一直是绝大多数集成电路的首选材料。
第二代材料:砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)等化合物半导体。砷化镓以其大电子迁移率(硅的迁移率大约在1300左右,而砷化镓可以达到5000),在微波器件和高速数字电路等方面有所应用。
第三代材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体。普通半导体在高温大功率下会有本征化现象而导致器件无法工作,第三代材料就是为了解决这个问题而出现的。碳化硅和氮化镓以其较大的禁带宽度而具有着良好的热稳定性,也有了更强的抗辐射能力,并因其更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度而应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域。
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