为什么霍尔元件不用金属材料而是用半导体?
因为霍尔电压公式是E等于kBI/d,霍尔元件和等离子磁流体发电是一个原理的,其中公式的系数k1/n(n为导体单位横截面积的载流子数)说到这里就能看出当BI一定时不同材料的k与d不同时霍尔电压是不同的,当d做到很薄不能再薄(很厚)时只能通过改变k来提高(降低)霍尔电压,
而一般材料的K基本是固定的或随外界因素(温度)改变的,这就是系数变量,而半导体导电是因为能在硅储中掺杂的不同浓度的物质,
而这种掺杂使得半导体中的载流子浓度能受人为控制(也就是单位横截面积的载流子数能人为控制)从而改变了K,其实这公式些就跟人们发现的电阻率公式类似,起到了对电子元件的微型化的作用。
扩展资料:
霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。
由于通电导线周围存在磁场,其大小和导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中,则在该元件中将产生电流I,元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比,如果再测出该电磁场的磁场强度,则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器,如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上,当装在运动物体上的永磁体经过它时,可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数,则可以确定其运动速度。
参考资料:百度百科-霍尔元件
UH=RH/d*IC*B (1)
式中,RH称为霍尔系数,由导体材料的性质决定;d为导体材料的厚度,IC为电流强度,B为磁感应强度。
设RH/d=K,则式(1)可写为:
UH=K*IC*B (2)
可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称霍尔系数。K值越大,灵敏度就越高;元件厚度越小,输出电压也越大。
霍尔系数:K=1/(n*q)式中,n为载流子密度,一般金属中载流子密度很大,所以金属材料的霍尔系数系数很小,霍尔效应不明显;
而半导体中的载流子的密度比金属要小得多,所以半导体的霍尔系数系数比金属大得多,能产生较大的霍尔效,故霍尔元件不用金属材料而是用半导体!
参考资料: 《物理学基本教程》高等教育社出版
霍尔元件是运用了霍尔效应的一种元件。
霍尔效应是一种特殊的磁感效应,即在一个半导体薄片的一部分加上一个磁场,则半导体片的另一部分就会产生一个电动势,这就是霍尔效应。
在霍尔效应中,U=RH/d*I ,RH称为霍尔系数,由导体材料的性质决定;d为导体材料的厚度,I为电流强度,B为磁感应强度。
变形一下公式可以得到U=K*I*B 所以,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称霍尔系数。K值越大,灵敏度就越高;元件厚度越小,输出电压也越大。
一般半导体的霍尔系数远大于金属材料,所以霍尔元件用的是半导体。
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