Question

电导调制效应怎么理解

Answer 1

电导调制效应理解方法如下：

电导调制效应是Webster效应，又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。

当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。

更准确的定义下： Webster效应也称为基区电导调制效应，这是BJT在大工作电流时、基区电导发生增大的一种现象。这种大注入使基区电阻率降低（注入越大，降低得越多）的现象，就直接减小了发射结注入效率，使电流放大系数降低。

Webster effect效应对大电流状态下工作的均匀基区晶体管而言，影响特别严重，这往往就是引起其大电流βo下降的主要原因。但是，对于非均匀基区晶体管而言，在大电流时βo的下降，Webster effect效应可能不是主要原因，这时更加主要的可能是Kirk效应。

电导调制效应及其作用

当PN结通过正向大电流时，大量空穴被注入基区，基区的空穴浓度大幅度增加，这些载流子来不及和基区的电子中和就到达负极。为了维持基区半导体的电中性，基区的多子浓度也要相应大幅度增加。

这就意味着，在大注入的条件下原始基片的电阻率实际上大大地下降了，也就是电导率大大增加了。这种现象被称为基区的电导调制效应。电导调制效应使半导体器件的通态压降降低，通态损耗下降；但是会带来反向恢复问题，使关断时间延长，相应也增加了开关损耗。