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、図1において、この放热构造体1は、基板2と、基板2に実装される电子部品3と、电子部品3から生じる热を放热させるための放热性部材としてのフレーム4と、基板2に设けられる热...
、図1において、この放热构造体1は、基板2と、基板2に実装される电子部品3と、电子部品3から生じる热を放热させるための放热性部材としてのフレーム4と、基板2に设けられる热伝导性接着シート5とを备えている。(12分)
7、一般式(1)、(1’)または(1”)において、R1~R3はそれぞれ一価の有机基を示すが、そのうちの一つ以上は、一般式(2)で示される基である。一般式(2)において、R5は水素原子または炭化水素基であり、R5が示す炭化水素基は、炭素数1~4のアルキル基であることが好ましい。(12分)
8、セル厚を薄く形成することに伴い诱电体层厚を薄くすることで、一対の配向膜と液晶层との界面近傍の液晶分子の比率を増加に伴う上述の配向规制力の影响を抑制し、透过率の低下を抑制できる。(12分)
9、メモリ管理装置は、不挥発性半导体メモリ(1)及び挥発性半导体メモリ(2)の少なくとも一方に书き込むデータの特性に基づき生成されるカラーリング情报(3)を保持するカラーリング情报保持部(a)と、カラーリング情报(3)を参照し、不挥発性半导体メモリ(1)及び挥発性半导体メモリ(2)から、データを书き込む领域を决定する书き込み管理部(b)とを具备する。(15分)
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7、一般式(1)、(1’)または(1”)において、R1~R3はそれぞれ一価の有机基を示すが、そのうちの一つ以上は、一般式(2)で示される基である。一般式(2)において、R5は水素原子または炭化水素基であり、R5が示す炭化水素基は、炭素数1~4のアルキル基であることが好ましい。(12分)
8、セル厚を薄く形成することに伴い诱电体层厚を薄くすることで、一対の配向膜と液晶层との界面近傍の液晶分子の比率を増加に伴う上述の配向规制力の影响を抑制し、透过率の低下を抑制できる。(12分)
9、メモリ管理装置は、不挥発性半导体メモリ(1)及び挥発性半导体メモリ(2)の少なくとも一方に书き込むデータの特性に基づき生成されるカラーリング情报(3)を保持するカラーリング情报保持部(a)と、カラーリング情报(3)を参照し、不挥発性半导体メモリ(1)及び挥発性半导体メモリ(2)から、データを书き込む领域を决定する书き込み管理部(b)とを具备する。(15分)
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3个回答
2013-08-08
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在图1中,安装在基板2上的电子部件3和基板2,热构混凝土主体1的版本包括一个框架4作为一个部件热性释放,用于使热量释放从电子部件3所产生的热量,例如我有注意-热伝导性粘接片5踢设在基板2。(12分)如图7所示,通式(1)或(1')中的(1“)中,R1〜R3表示一价的有机基团,式的一个或多个,其中是:(2)表示的基团,通式(2)中,R 5是氢原子或烃基,烃基,R 5表示是优选的。(12分钟)是具有1至4个碳原子的烷基8,通过减薄的诱电体层厚,由于在形成薄的细胞的厚度,和影响的取向调节力的上述的液态晶体的分子的液态晶体层和取向层对之间的界面附近的比的增加抑制(12分钟),它能够抑制减少的透射率9,内存管理单元,获得的数据书至少挥発半导体存储器(1)和(2)非挥発半导体存储器不匀信息保持部,其保存期(3)(a)中,着色信息(3)着色基于特征信息,生成,不挥発半导体存储器挥発半导体存储器(1) (2),(15分钟)工具注意-管理单元(b)在拥挤的书来决定区域收购书数据
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如图1中,使得热构造身体1在底板2,底板2被实现的电子部件与电子部件3处热(度)的散热材料放热性能更高的帧4,底板2热伝有设导性粘著座席5分)。(12分)
7、普通式(1学生1)或(1)中,1 - r 3没有获得过的有机基表示,其中一项以上是普通式(2)进行表示处。一般式(2)中,r第五氢原子或碳氢化合物基础,r 5所表示的碳氢化合物基础,是将碳数1 ~ 4个烷基基础的方法。(12分)
8、厚?
7、普通式(1学生1)或(1)中,1 - r 3没有获得过的有机基表示,其中一项以上是普通式(2)进行表示处。一般式(2)中,r第五氢原子或碳氢化合物基础,r 5所表示的碳氢化合物基础,是将碳数1 ~ 4个烷基基础的方法。(12分)
8、厚?
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你这不已经是日文了么,还怎么翻译
追问
错了!是中文
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