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三极管和MOS管在功能上有很多相似的地方,但是这两种元件有什么区别?用一个电路告诉你
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GamryRaman
2023-06-12 广告
2023-06-12 广告
MOS的导通压降下 导通电阻小 栅极驱动不需要电流,损耗小 驱动电路简单 自带保护二极管 热阻特性好,适合大功率并联 缺点开关速度不高,比较昂贵 三极管开关速度高 大型三极管的Ic可以做的很大 缺点损耗大 驱动复杂。
不一定。看管子的,看输...
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本回答由GamryRaman提供
2022-07-15 · 百度认证:北京惠企网络技术有限公司官方账号
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mos管的作用如下:
1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压,电机调速等方面。
2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用(类似二极管单向导通),比二极管有优势的地方是压降小、功耗低,导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显;
3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用,一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻,优势是生产方便,体积小巧。
4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用,与三极管放大电路类似。
1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压,电机调速等方面。
2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用(类似二极管单向导通),比二极管有优势的地方是压降小、功耗低,导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显;
3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用,一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻,优势是生产方便,体积小巧。
4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用,与三极管放大电路类似。
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2015-10-19 · 知道合伙人金融证券行家
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MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。
三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。
场效应管与三级管的比较:
1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件;
2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件
3)场效应管灵活性比三级管好;
4)场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
MOSFET和双极型三极管相类似,电极对应关系是b®G、e®S、c®D;由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似,三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流),而FET放大电路的场效应管栅极没有电流,所以,FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于:场效应管是电压控制型器件,靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化,放大作用以跨导来体现;三极管是电流控制型器件,靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化,放大作用由电流放大倍数来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时,可与双极型三极管的共射、共集、共基对照。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。
场效应管与三级管的比较:
1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件;
2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件
3)场效应管灵活性比三级管好;
4)场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
MOSFET和双极型三极管相类似,电极对应关系是b®G、e®S、c®D;由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似,三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流),而FET放大电路的场效应管栅极没有电流,所以,FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于:场效应管是电压控制型器件,靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化,放大作用以跨导来体现;三极管是电流控制型器件,靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化,放大作用由电流放大倍数来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时,可与双极型三极管的共射、共集、共基对照。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。
三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。
场效应管与三级管的比较:
1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件;
2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件
3)场效应管灵活性比三级管好;
4)场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
MOSFET和双极型三极管相类似,电极对应关系是b®G、e®S、c®D;由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似,三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流),而FET放大电路的场效应管栅极没有电流,所以,FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于:场效应管是电压控制型器件,靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化,放大作用以跨导来体现;三极管是电流控制型器件,靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化,放大作用由电流放大倍数来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时,可与双极型三极管的共射、共集、共基对照。
三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。
场效应管与三级管的比较:
1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件;
2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件
3)场效应管灵活性比三级管好;
4)场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
MOSFET和双极型三极管相类似,电极对应关系是b®G、e®S、c®D;由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似,三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流),而FET放大电路的场效应管栅极没有电流,所以,FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于:场效应管是电压控制型器件,靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化,放大作用以跨导来体现;三极管是电流控制型器件,靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化,放大作用由电流放大倍数来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时,可与双极型三极管的共射、共集、共基对照。
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