三极管怎样才能导通?
三极管有三种工作状态,条件分别为:
截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。
饱和导通:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
扩展资料
三极管的作用:晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
参考资料:百度百科-三极管
1.截止区:
其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE<=UON且UCE>UBE
。此时iB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的iCEO+在1uA以下,锗管的iCEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
2.放大区:
其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE>UON且UCE>=UBE
(即UC>UB>UE)。此时的,iC几乎仅决定于iB,而与UCE无关,表现出iB
对
iC的控制作用,iC=βiB。在理想情况下,当iB按等差变化时,输出特性是一组横轴的等距离平行线。(简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.)
3.饱和区:
其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE>UON且
UCE<UBE。此时iC不仅与iB有关,而且明显随UCE增大而增大,iC<βiB。在实际电路中,如晶体管的UBE增大时,iB随之增大,但iC增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管,可以认为当UCE=UBE,及UCB=0时,晶体管处于临界状态,及临界饱和和临界放大状态。
要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub。
在模拟电路中,绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。
NPN型三极管的开关作用
三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用),当基极加上正偏压时,NPN型三极管即导通处于饱和状态,灯会亮;反之,三极管就不导通,灯不亮。
2013-08-15
2013-08-15
1.截止区:
其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE<=UON且UCE>UBE 。此时iB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的iCEO+在1uA以下,锗管的iCEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
2.放大区:
其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE>UON且UCE>=UBE (即UC>UB>UE)。此时的,iC几乎仅决定于iB,而与UCE无关,表现出iB 对 iC的控制作用,iC=βiB。在理想情况下,当iB按等差变化时,输出特性是一组横轴的等距离平行线。(简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.)
3.饱和区:
其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE>UON且 UCE<UBE。此时iC不仅与iB有关,而且明显随UCE增大而增大,iC<βiB。在实际电路中,如晶体管的UBE增大时,iB随之增大,但iC增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管,可以认为当UCE=UBE,及UCB=0时,晶体管处于临界状态,及临界饱和和临界放大状态。
要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub。
在模拟电路中,绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。
NPN型三极管的开关作用
三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用),当基极加上正偏压时,NPN型三极管即导通处于饱和状态,灯会亮;反之,三极管就不导通,灯不亮。