Question

为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大？

与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明？

Answer 1

你说的没错呀。
300K下,Si的禁带宽度是1.12eV,GeSi的禁带宽度是0.67eV，所以本征Ge的载流子浓度远高于Si的，其反向饱和电流密度I0也更大。
I = I0 * [exp(qV/(kT)) - 1]
所以Ge管开启电压更低。

Answer 2

1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。

2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

Answer 3

他们两个的晶体结构是不同的