三极管放大原理:为什么基极微小的电流变化,会引起集电极较大的电流变化?
满足放大条件时,发射区大量的电子向基区扩散,一部分到达基区后被基区的空穴复合,形成基极电流Ib,空穴由外部电源补充;绝大多数发射区电子到达集电区后,成为集电极电流Ic基极...
满足放大条件时,发射区大量的电子向基区扩散,一部分到达基区后被基区的空穴复合,形成基极电流Ib,空穴由外部电源补充;绝大多数发射区电子到达集电区后,成为集电极电流Ic
基极电流Ib,是由发射极电子和空穴复合形成的,空穴由外部电源补充。
个人觉得Ib电流增大时,空穴会增多,从而复合掉发射极的电子也会增多,从而集电极从发射极得到的电子会减少,而使集电极电流IC减小。但为什么基极电流IB增大,集电极电流IC也会增大呢?而且还满足Ic=B*Ib呢? 展开
基极电流Ib,是由发射极电子和空穴复合形成的,空穴由外部电源补充。
个人觉得Ib电流增大时,空穴会增多,从而复合掉发射极的电子也会增多,从而集电极从发射极得到的电子会减少,而使集电极电流IC减小。但为什么基极电流IB增大,集电极电流IC也会增大呢?而且还满足Ic=B*Ib呢? 展开
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NPN管的基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
这时应该注意的是:发射极是正向偏置的,集电极是反向偏置的。
当基极电流增大时(电压也略有提高)引发发射极更多地向基区扩散电子,仍然是因为基区很薄空穴太少,而集电极反向偏置,多余的电子更多地给集电极吸引。
用比方来说:基区犹如一张薄薄的钢丝网接正在发射极上方,发射极有一堆电子(发射极接负)在基区的下方,集电极接正在基区的上方,三者面积一样投影重叠。基区吸引发射极的电子向上运动,少量电子碰到基区的钢丝网,大量电子穿过了网孔,被集电极吸走。当基区加大吸力,发射极有更多的电子被吸上来但钢丝网没变,按照比例,钢丝网多吸了一点,按照比例网孔中漏过去的更多。
这时应该注意的是:发射极是正向偏置的,集电极是反向偏置的。
当基极电流增大时(电压也略有提高)引发发射极更多地向基区扩散电子,仍然是因为基区很薄空穴太少,而集电极反向偏置,多余的电子更多地给集电极吸引。
用比方来说:基区犹如一张薄薄的钢丝网接正在发射极上方,发射极有一堆电子(发射极接负)在基区的下方,集电极接正在基区的上方,三者面积一样投影重叠。基区吸引发射极的电子向上运动,少量电子碰到基区的钢丝网,大量电子穿过了网孔,被集电极吸走。当基区加大吸力,发射极有更多的电子被吸上来但钢丝网没变,按照比例,钢丝网多吸了一点,按照比例网孔中漏过去的更多。
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