Question

场效应管的命名和标示方法

Answer 1

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
两种命名方法：
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
主要参数：

直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏
场效应管
、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

极限参数
①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，
②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，
③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，
④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
使用时主要关注的参数有：
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

Answer 2

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Answer 3

有两种命名方法。
　　第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
　　第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。