Question

MOS管和三极管有什么区别？

Answer 1

一、主体不同

1、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。

2、三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

二、作用不同

1、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

2、三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三、特点不同

1、MOS管：MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

2、三极管：是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

参考资料来源：百度百科-MOS

参考资料来源：百度百科-三极管

Answer 2

MOS管和三极管有什么区别如下：

1、控制原理不同

MOS管用电压控制，三极管用电流控制。

2、成本造价不同

MOS管造价贵，三极管造价低。

3、功率消耗不同

MOS管功耗低，三极管功耗大。

4、驱动能力不同

MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路，三极管常用于电源开关以及小电流地方开关电路。

扩展资料：

MOS管和三级管的选择：

1、只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。

2、电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件，双极器件是指靠两种载流子导电的器件。MOS管是应用一种多数载流子导电，所以称之为单极型器件。而三极管是既有多数载流子，也应用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

4、MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很便当地把很多MOS管集成在一块硅片上，因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。

5、MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被普遍应用于各种电子设备中。特别用MOS管做整个电子设备的输入级，可以获得普通三极管很难抵达的性能。

6、MOS管分红结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

参考资料：百度百科-MOS管   

百度百科-三极管

Answer 3

区别：

1、载流子：

三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

MOS管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子

2、成本：三极管便宜，MOS管贵

3、损耗：三极管损耗大，MOS管损耗小

4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路

5、速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高

6、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制

7、阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。

8、频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

扩展资料

三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。

三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。

一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。

参考资料：百度百科 - 三极管

Answer 4

三极管和MOS管在功能上有很多相似的地方，但是这两种元件有什么区别？用一个电路告诉你

Answer 5

功率管与三极管的区别：

1、在所涉及的范围上不同:半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。而功率管是三极管分类中的一种分类，所涉及的范围是很小的，只是作为三极管的一个分支。

2、在原理上不同:双极型半导体三极管在原理上是输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。而功率管在原理上仅仅是作为一个双网络，然后输出电压。

3、在使用上不同:功率的使用是通过放大和利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。而三极管的使用是需要通过两个极管来发挥它的作用。

扩展资料：

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源了；

由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。

由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.

参考资料：功率管-百度百科

参考资料:  三极管-百度百科