Question

这个驱动mos管的电路图，我这样分析对吗？请分析判断下

当DO_CAMERA为0V时候，Q1，截至。Q2基极电压1.65V，Q2导通。
Q3是P沟道MOS管，Q3门极电压0V，Q3导通。
Q4是N沟道MOS管，Q4门极电压大约是12V，Q4导通。
当DO_CAMERA为3.3V时候，Q1，导通。Q2基极电压0V，Q2截至。
Q3是P沟道MOS管，Q3门极电压012，Q3截止。
Q4是N沟道MOS管，Q4门极电压是0V，Q4截止。

Answer 1

逻辑正确，还稍有点问题：
　　1、Q1截止时，如果没有后面的Q2，则R2、R3会将电压平分；不过这里Q2基极电压受BE结正向压降限制，不会是1.65V了，而是约为0.7V。
　　2、三极管饱和导通时，集电极仍有约0.2V的压降，所以是约为0V；当然在三极管截止时，C-E间也会有微小的漏电流，等效电阻也不是无穷大，不过一般分析是将C-E看做完全断开的。
　　3、有个笔误，Q3门极电压012-->Q3门极电压12V。
　　4、这里黙认场效应管的门极开启电压（绝对值）是大于1V且小于11V，即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作，比如是2V。

Answer 2

用数字电路 ''0" 和 "1"分析，应该是正确的。