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1、G极前应该串联一个电阻(约几十个欧姆,功率约1W),这个电阻可以改善开关波形。
2、G极对地,最好接一个10K这样的电阻,泄放电荷用,避免电荷堆积。
3、对于P-MOS管,最好用正电压关断。同理,如果是N-MOS的话,最好是负电压关断,这样效果会好一些。
2、G极对地,最好接一个10K这样的电阻,泄放电荷用,避免电荷堆积。
3、对于P-MOS管,最好用正电压关断。同理,如果是N-MOS的话,最好是负电压关断,这样效果会好一些。
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MOS管的关断比开启难度要大得多,你的这个电路本来就有缺陷,
1、G极前应该串联一个电阻(约几十个欧姆,功率约1W),这个电阻可以改善开关波形。
2、G极对地,最好接一个10K这样的电阻,泄放电荷用,避免电荷堆积。
3、对于P-MOS管,最好用正电压关断。同理,如果是N-MOS的话,最好是负电压关断,这样效果会好一些。
1、G极前应该串联一个电阻(约几十个欧姆,功率约1W),这个电阻可以改善开关波形。
2、G极对地,最好接一个10K这样的电阻,泄放电荷用,避免电荷堆积。
3、对于P-MOS管,最好用正电压关断。同理,如果是N-MOS的话,最好是负电压关断,这样效果会好一些。
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