Question

半导体器件的分类

Answer 1

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
半导体器件的种类：
一、分立器件
1、 二极管
A、一般整流用
B、高速整流用：
①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）
②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）
③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）
C、定压二极管（齐纳二极管）
D、高频二极管
①变容二极管
②PIN二极管
③穿透二极管
④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管
2、 晶体管
①双极晶体管
②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）
Ⅰ、接合型FET
Ⅱ、MOSFET
③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)
3、 晶闸管
①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅
②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管）
③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）

二、光电半导体
1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）
2、激光半导体
3、受光器件
①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）
②光电晶体管（Photo Transistor）
③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）
④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）
4、光耦(photo Relay)
①光继电器（photo Relay)
②光断路器（photo Interrupter）
5、光通讯用器件

三、逻辑IC
1、通用逻辑IC
2、微处理器（Micro Processor）
①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)
②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)
3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)
4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）
①栅陈列（Gate-Array Device）
②SC(Standard Cell:标准器件)
③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)
5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）
6、系统LSI（System LSI）

四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）
1、电源用IC
2、运算放大器（OP具Amp）
3、AD、DA转换器（AD DA Converter）
4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)

五、存储器
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)
2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)
3、快闪式存储器(Flash Memory)
4、掩模ROM(mask Memory)
5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)
6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

Answer 2

它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种：
①结型场效应管(用PN结构成栅极)；
②MOS场效应管（用金属-氧化物－半导体构成栅极,见金属－绝缘体－半导体系统）；
③MES场效应管（用金属与半导体接触构成栅极）;其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。
在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等；配上光电二极管列阵，可用作摄像管。

Answer 3

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
半导体器件的种类：
一、分立器件
1、
二极管
A、一般整流用
B、高速整流用：
①FRD（Aast
Recovery
Diode:高速恢复二极管）
②HED（Figh
Efficiency
Diode:高速高效整流二极管）
③SBD（Schottky
Barrier
Diode:肖特基势垒二极管）
C、定压二极管（齐纳二极管）
D、高频二极管
①变容二极管
②PIN二极管
③穿透二极管
④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管
2、
晶体管
①双极晶体管
②FET（Fidld
Effect
Transistor:场效应管）
Ⅰ、接合型FET
Ⅱ、MOSFET
③IGBT(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor:绝缘栅双极晶体管)
3、
晶闸管
①SCR(Sillicon
Controllde
Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅
②GTO（Gate
Turn
off
Thyristor:栅极光闭晶闸管）
③LTT（Light
Triggered
Thyristor:光触发晶闸管）
二、光电半导体
1、LED（Light
Emitting
Diode:发光二极管）
2、激光半导体
3、受光器件
①光电二极管（Photo
Diode）/太阳能电池（Sola
Cell）
②光电晶体管（Photo
Transistor）
③CCD图像传感器（Charge
Coupled
Device:电荷耦合器）
④CMOS图像传感器（complementary
Metal
Oxide
Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）
4、光耦(photo
Relay)
①光继电器（photo
Relay)
②光断路器（photo
Interrupter）
5、光通讯用器件
三、逻辑IC
1、通用逻辑IC
2、微处理器（Micro
Processor）
①CISC(Complex
Instruction
Set
Computer:复杂命令集计算机)
②RISC(Reduced
instruction
SET
Computer:缩小命令集计算机)
3、DSP(Digital
Signal
processor:数字信号处理器件)
4、AASIC（Application
Specific
integrated
Circuit:特殊用途IC）
①栅陈列（Gate-Array
Device）
②SC(Standard
Cell:标准器件)
③FPLD(Field
programmable
Logic
Device:现场可编程化逻辑装置)
5、MPR（Microcomputer
peripheral:微型计算机外围LSI）
6、系统LSI（System
LSI）
四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）
1、电源用IC
2、运算放大器（OP具Amp）
3、AD、DA转换器（AD
DA
Converter）
4、显示器用驱动器IC(Display
Driver
IC)
五、存储器
1、DRAM(Dynamic
Random
Access
Memory:动态随机存取存储器)
2、SRAM(Static
Random
Access
Memory:静态随机存取储器)
3、快闪式存储器(Flash
Memory)
4、掩模ROM(mask
Memory)
5、FeRAM(Ferroelectric
Random
Access
Memory:强介电质存储器)
6、MRAM(Magnetic
Random
Access
Memory:磁性体存储器)

Answer 4

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

Answer 5

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。