Question

怎么测试共模电感的同名端？

给你一个共模电感，不知哪两个是同名端的情况下，该怎么看或怎么测试出来呢？

Answer 1

看是看不出来的，只有通过间接方法了，串联它们构成耦合电感，通以电流用电压表测量其两端的电压。通过估计互感的正负得到是否为同名端

Answer 2

通过物理的知识，把他们分别串联和并联起来，在通过电压表和电灯炮，还有开关来测试他们的正负级是否同名端

Answer 3

通过物理实验来观察现象

Answer 4

目前，Y 电容广泛的应用在开关电源中，但Y 电容的存在使输入和
输出线间产生漏电流。具有Y 电容的金属壳手机充电器会让使用者
有触电的危险，因此一些手机制造商目前开始采用无Y 电容的充电
器。然而摘除Y 电容对EMI 的设计带来了困难。具有频抖和频率调
制的脉宽调制器可以改善EMI 的性能，但不能绝对的保证充电器通
过EMI 的测试，必须在电路和变压器结构上进行改进，才能使充电
器满足EMI 的标准。
1 EMI 常识
在开关电源中，功率器件高频开通关断的操作导致电流和电压的快
速的变化是产生EMI的主要原因。
在电路中的电感及寄生电感中快速的电流变化产生磁场从而产生较
高的电压尖峰：
dt Ldi u L L / =
在电路中的电容及寄生电容中快速的电压变化产生电场从而产生较
高的电流尖峰:
dt Cdu i C C / =
图 1: Mosfet 电压电流波形

磁场和电场的噪声与变化的电压和电流及耦合通道如寄生的电感和
电容直接相关。直观的理解， 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt及
减小相应的杂散电感和电容值可以减小由于上述磁场和电场产生的
噪声，从而减小EMI干扰。
1.1 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt
减小电压率du/dt和电流变化率di/dt可以通过以下的方法来实现：改
变栅极的电阻值和增加缓冲吸引电路，如图2和图3所示。增加栅极
的电阻值可以降低开通时功率器件的电压变化率。
图 2: 栅极驱动电路

图3中，基本的RCD箝位电路用于抑止由于变压器的初级漏感在开关
管关断过程中产生的电压尖峰。L1，L2 和L3可以降低高频的电流的
变化率。L1和L2只对特定的频带起作用。L3对于工作于CCM模式才
有效。 R1C1，R2C2，R3C3，R4C4 和 C5可以降低相应的功率器件
两端的高频电压的变化率。
所有的这些缓冲吸引电路都需要消耗一定功率，产生附加的功率损
耗，降低系统的效率；同时也增加元件的数日和PCB的尺寸及系统
的成本，因此要根据实际的需要选择使用。
图 3: 缓冲吸引电路

1.2 减小寄生的电感和电容值
开关器件是噪声源之一，其内部引线的杂散电感及寄生电容也是噪
声耦合的通道，但是由于这些参数是器件固有的特性，电子设计和
应用工程师无法对它们进行优化。寄生电容包括漏源极电容和栅漏
极的Miller电容。
变压器是另外一个噪声源，而初级次级的漏感及初级的层间电容、
次级的层间电容、初级和次级之间的耦合电容则是噪声的通道。初
级或次级的层间电容可以通过减小绕组的层数来降低，增大变压器
骨架窗口的宽度可在减小绕组的层数。分离的绕组如初级采用三明
治绕法可以减小初级的漏感，但由于增大了初级和次级的接触面
积，因而增大了初级和次级的耦合电容。采用铜皮的Faraday屏蔽可
以减小初级与次级间的耦合电容。Faraday屏蔽层绕在初级与次级之
间，并且要接到初级或次级的静点如初级地和次级地。Faraday屏蔽
层使初级和次级的耦合系数降低，从而增加了漏感。