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当多晶硅的熔融单晶硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格的形式排列成许多晶核。如果这些晶核生长成不同晶面取向的晶粒,这些晶粒就会结合结晶成多晶硅。它是多晶硅生产单晶硅的直接原料,是人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等现代半导体器件的电子信息基础材料。
当多晶硅的熔融单晶硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格的形式排列成许多晶核。如果这些晶核生长成不同晶面取向的晶粒,这些晶粒就会结合结晶成多晶硅。它是多晶硅生产单晶硅的直接原料,是人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等现代半导体器件的电子信息基础材料。具有多晶硅的灰色金属光泽,密度为2.32-2.34克/立方厘米。熔点是1410℃。沸点是2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混合酸,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和应时之间,常温下易碎,切割时易断。当加热到800℃以上时具有延展性,在1300℃时表现出明显的变形。
当多晶硅的熔融单晶硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格的形式排列成许多晶核。如果这些晶核生长成不同晶面取向的晶粒,这些晶粒就会结合结晶成多晶硅。它是多晶硅生产单晶硅的直接原料,是人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等现代半导体器件的电子信息基础材料。具有多晶硅的灰色金属光泽,密度为2.32-2.34克/立方厘米。熔点是1410℃。沸点是2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混合酸,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和应时之间,常温下易碎,切割时易断。当加热到800℃以上时具有延展性,在1300℃时表现出明显的变形。
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多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。
利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
扩展资料:
多晶硅的应用
多晶硅可用作拉制晶体硅的原料。多晶硅与单晶硅的区别主要表现在物理性能上。例如,多晶硅的力学、光学和热性能的各向异性远不如单晶硅明显,多晶硅的导电性远不如单晶硅显著,甚至几乎没有导电性。
多晶硅和单晶硅在外观上是可以区分的,但真正的鉴别必须建立在通过分析确定晶面取向、导电类型和电阻率的基础上。多晶硅是生产单晶硅的直接原料。它是人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的基础电子信息材料。
参考资料来源:百度百科-单晶硅
参考资料来源:百度百科-多晶硅
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2013-08-31
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名 称: 单晶硅
英文名: Monocrystalline silicon
分子式: Si
硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途: 是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。
近年来,各种晶体材料,特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展,成为当代信息技术产业的支柱,并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能,亟待开发利用的高科技资源,正引起越来越多的关注和重视。
英文名: Monocrystalline silicon
分子式: Si
硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途: 是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。
近年来,各种晶体材料,特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展,成为当代信息技术产业的支柱,并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能,亟待开发利用的高科技资源,正引起越来越多的关注和重视。
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多晶硅;polycrystalline silicon
性质:灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。
常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
性质:灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。
常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
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