本视频介绍了半导体器件的寄生电容与其通流能力成正比的规律，通过该规律，讲解了如何快速选型半导体器件。
寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。寄生电容常常也会造成杂散振荡。
在现实中，所有的电路元件，例如电感元件、二极管和晶体管都具有内部电容，这些电容将使器件的性能与理想情况有所不同。此外，在任意两段导体之间均有非零的电容，这种电容在高频情况中体现得尤为突出，因此在印制电路板设计中必须予以考虑。
扩展资料
寄生电容主要有以下几种：
1、安装电容：这主要是指一些机械安装零件，如旋钮、接线柱、管座、焊片等对机壳的电容（或者说对“地”的电容，因为我们常把机壳叫做地）。这些电容中最大的是接线柱的电容。
接线柱安装在机壳上时，螺钉、螺母与机壳之间恰好构成了一个填充有介质（胶木垫圈）的电容器。在一般的高频或脉冲设备中，安装电容都按10微微法来估计。
2、引线电容：包括不接地的引线对地的电容，两根平行导线之间的电容（如果两根导线互相交叉，寄生电容极小，常可忽略不计），同轴线和屏蔽线内外导体之间的电容。如果屏蔽线的外屏蔽接地，这个电容就成了内导体对地的电容。在一般设计中，引线电容按10～20微微法来估算。
3、电子管的极间电容：以三极管为例，阴级一般是钨丝或涂有氧化物的金属丝，栅极是围绕着阴极的金属网，屏极则是最外面的金属筒。如果我们把它看成同轴线，不难理解，栅极阴极间存在电容Cgk，屏极栅极间存在电容Cag，由于栅极和阴极相距很近，故Cgk比Cag大。
屏、阴极间的电容量相当于Cgk和Cag串联，不过考虑到电子管内部引线间的电容，屏、阴极间电容Cak比Cgk与Cag的串联值稍大。一般电子管的极间电容可以从手册中查到。
4、电感线圈和变压器中的寄生电容：线圈在交流电的作用下，感应电动势与其匝数成正比，所以对交流而言，线圈的两匝之间不是同电位的，因而相邻两匝导线间存在着一定的寄生电容，多层线圈的层间电容更是大得可观。
好在从外电路看来，各个层间电容和匝间电容都串联起来，因而总的电容量并不很大。普通绕法的多层线圈，寄生电容约为30到60微微法。
由于蜂房式线圈上下层的导线不平行，而是相互交叉，二线间分布电容小得多，所以蜂房式多层线圈的寄生电容只有5到10微微法。一般变压器两端间的动态电容达30到100微微法。变压器初级与次级间的耦合电容则完全等于层间电容，常为50～200微微法。
当变压器线包插上铁心后，铁心与初次级线包间均有相当大的寄生电容，因为铁心与机壳相接，所以这个电容就是初次级线包对地的电容，这是应该注意的。
5、电阻中的寄生电容：线绕电阻也是象线圈一样绕成螺线管，当然有一定的寄生电容。不仅如此，合成电阻中也有相当可观的寄生电容，它的导电机构是一串串紧紧相接的碳粒，由于碳粒的电阻一定，合成电阻的总阻值就决定于它体内包含碳粒串（导电链）的多少。
为了改变电阻数值，我们加入不同数量的介质粉和胶合剂，当介质粉加得很多时，导电链将在很多地方被介质切断，并联的导电链少，总阻值就高。不难看出，当一个介质粒夹在两颗碳粒之间时，将构成一个小电容器。
一个实心的合成电阻中包含着许多这样的小电容器，总的容量就可能相当大。这正是实心电阻在高频工作时介质损耗很大，寄生电容危害严重的原因。
参考资料来源：百度百科-寄生电容
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。
