麻烦老师解答:如图所示,质量m 1

如图所示,质量m1=0.1kg,电阻R1=0.3Ω,长度l=0.4m的导体棒ab横放在U型金属框架上。框架质量m2=0.2kg,放在绝缘水平面上,与水平面间的动摩擦因数μ... 如图所示,质量m 1 =0.1kg,电阻R 1 =0.3Ω,长度l=0.4m的导体棒ab横放在U型金属框架上。框架质量m 2 =0.2kg,放在绝缘水平面上,与水平面间的动摩擦因数μ=0.2。相距0.4m的MM'、NN'相互平行,电阻不计且足够长。电阻R 2 =0.1Ω的MN垂直于MM'。整个装置处于竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=0.5T。垂直于ab施加F=2N的水平恒力,ab从静止开始无摩擦地运动,始终与MM'、NN'保持良好接触。当ab运动到某处时,框架开始运动设框架与水平面间最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g取10m/s 2 。 (1)求框架开始运动时ab速度v的大小; (2)从ab开始运动到框架开始运动的过程中,MN上产生的热量Q=0.1J,求该过程ab位移x的大小。 展开
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眼泪FygrT4D4p4
2013-01-27 · TA获得超过133个赞
知道答主
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解:(1)ab对框架的压力F 1 =m 1 g ①
框架受水平面的支持力F N =m 2 g+F 1
依题意,最大静摩擦力等于滑动摩擦力,则框架受到最大静摩擦力F 2 =μF N  ③
ab中的感应电动势E=Blv ④
MN中电流  ⑤
MN受到的安培力F =IlB ⑥
框架开始运动时F =F 2
由上述各式代入数据解得v=6 m/s ⑧
(2)闭合回路中产生的总热量  ⑨
由能量守恒定律,得
代入数据解得x=1.1 m 
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