霍尔现象是怎么产生的？
霍尔现象的产生过程如下：
当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应。
霍尔效应的本质：
固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。
此外，霍尔效应在1879年被物理学家霍尔发现，定义了磁场和感应电压之间的关系。当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在垂直于导体与磁感线的两个方向上产生电势差。
迄今为止，已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器、各种开关，等等。
杭州励贝电液科技有限公司
2023-07-25 广告
设载流子的电荷量为q,定向移动的速度的平均值为v,磁感应强度为B，
平衡时有
q*v*B=qE
得E=v*B
设L为金属片的宽度，电场为匀强电场，于是
U=E*L=v*B*L
设单位体积内的载流子数为n，则根据电流的定义有
I=n*q*V*s
式中S=L*d，是薄片的横截面积。消去v可得
U=(I*B)/(n*q*d)=K*I*B/d
其中K=1/(n*q)称为霍尔系数
U为霍尔电压
解释：
在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
以上内容参考：百度百科-霍尔效应
