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Ube是三极管的基极→发射极间的电压,晶体管的be结实际上可以看作一个“二极管”,它的导通电压就是二极管的导通电压,一般情况下,这个导通电压约为0.7V(硅管),当be极电压达到“导通电压时,就有电流流过晶体管的be结,当外加电压升高,此电压并不升高,仍保持为“导通电压“(因为它是一个‘二极管’),而电流却会增大,使晶体管进入”放大区“,此时晶体管的集电极电流会随B极电流的变化而成hfe倍地变化(这里的hfe是晶体管的直流放大倍数),当be极的电流大到一定程度时,晶体管基极就对其集电极电流失去控制而进入“饱和区”,此时任凭基极电流如何增大,其集电极电流都不会再变化(达到电路参数‘最大值’),而基极电压仍被“维持”在“导通电压“附近不会升高,继续增大B极电流则能 导致晶体管烧毁。
所以,晶体管在正常情况下Ube不会超过导通电压,如果超过了(比如0.8V甚至更高)则表示管子坏了,当然就不能工作了。
所以,晶体管在正常情况下Ube不会超过导通电压,如果超过了(比如0.8V甚至更高)则表示管子坏了,当然就不能工作了。
追问
我看到的那道题B E端接了个大于0.7的正向电源...那会是截止吗?
追答
三极管的截止条件是UBE极电压小于导通电压,三极管导通还是截止,还在以具体电路分析,在三极管的BE极上直接施加大于0.7V的电压,对于NPN类管B极为正,管子导通;而对于PNP类管,同样B极为正,管子却是截止的。
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首先要强调一个问题:三极管工作电压Ube是指PN结电压大于导体电压,如npn的Ube>0.65左右;而PNP的Ube<-0.65; 这样才能导通工作;
第二个问题:关于UBE是否可以超过导通电压。答案是完全可以超过导通电压。原因如下:
1、单纯的PN结的结电流是和PN结两端电压有关系的其关系为IF = IS0·{exp [q·VF / (k·T)] - 1}。其中三极管中VF为其be结的压降;通过关系式我们可以看出,三极管的基极电流和电压直接关系,当Vbe升高时候Ib会增大(因为是e指数关系,所以Vbe变化一点电流就会变化很大);
2、实际应用的三极管,其基极还有一个串联电阻rb,同样发射极也有一个寄生的串联电阻re;那么实际三极管中Vbe=ib*rb+VF+(Ib+ic)*re 这个才是实际应用中的模型;
PS:所有的前提都是基于三极管工作在能够承受的最大电流和功耗范围内,否则三极管会热损坏。 还有一点如果基极注入电流过大,会让三极管进入饱和区。如果有兴趣可以看一下《晶体管原理一书》
第二个问题:关于UBE是否可以超过导通电压。答案是完全可以超过导通电压。原因如下:
1、单纯的PN结的结电流是和PN结两端电压有关系的其关系为IF = IS0·{exp [q·VF / (k·T)] - 1}。其中三极管中VF为其be结的压降;通过关系式我们可以看出,三极管的基极电流和电压直接关系,当Vbe升高时候Ib会增大(因为是e指数关系,所以Vbe变化一点电流就会变化很大);
2、实际应用的三极管,其基极还有一个串联电阻rb,同样发射极也有一个寄生的串联电阻re;那么实际三极管中Vbe=ib*rb+VF+(Ib+ic)*re 这个才是实际应用中的模型;
PS:所有的前提都是基于三极管工作在能够承受的最大电流和功耗范围内,否则三极管会热损坏。 还有一点如果基极注入电流过大,会让三极管进入饱和区。如果有兴趣可以看一下《晶体管原理一书》
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