模拟电路的数个问题。
晶体三极管,NPN型三极管,对于PN结来说,由P到N。但是集电极怎么由N到P?这是出现了击穿?(就是放大电路那里)三极管放大电路的原理不明白,关键不清楚的是,怎么由小电路...
晶体三极管,NPN型三极管,对于PN结来说,由P到N。但是集电极怎么由N到P?这是出现了击穿?(就是放大电路那里)
三极管放大电路的原理不明白,关键不清楚的是,怎么由小电路控制大的集电极电路?请举例PNP型三极管。
晶体管的共射电流放大系数和共基电流放大系数分别表是什么?
关于放大电路那里,以及PNP三极晶体管放大原理,请用讲的通俗易懂一点,太理论的表示我看不懂,我需要理解大概原理再理解书上理论。 展开
三极管放大电路的原理不明白,关键不清楚的是,怎么由小电路控制大的集电极电路?请举例PNP型三极管。
晶体管的共射电流放大系数和共基电流放大系数分别表是什么?
关于放大电路那里,以及PNP三极晶体管放大原理,请用讲的通俗易懂一点,太理论的表示我看不懂,我需要理解大概原理再理解书上理论。 展开
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基极电流是已知参量,所以顺着pn结方向。集电极电流是随着基极电流而出现的,所以集电极电流必然顺着基极电流方向。对NPN管来说,就是集电极电流与基极电流一齐汇集到发射极成为发射极电流而流出。
以NPN管为例,基极电流顺着pn结方向,相当于大量电子从发射区奔向基区,但基区很狭窄,好似是陡峭的山梁,掺杂又很淡,空穴很少,好像不毛之地容不得人。空穴很少,也相当于坑很少。大量电子就相当于萝卜。大量电子到了基区没有空穴可填进,就好像大量罗卜没有坑可安家。而NPN管子集电极接着正电源。正电源对电子是一个强大的吸引力。没有年轻小伙子见了俊俏裸女人不扑进她怀里的道理,也没有电子遇到正电源不被吸引过去的道理。大量电子在奔向基区的过程中被集电极俘获,成为集电极电流。被击穿,就是强迫。但是这里一切行动都是自主自愿的。所以这里边根本不存在集电结被击穿的道理。实际上正应了红楼梦的名言,发射极电流本来要形成基极电流,实际上却为集电极电流的形成做了嫁衣裳!集电极电流Ic远远大于基极电流Ib,其倍数Ic/Ib就是晶体管的电流放大倍数β值。
以NPN管为例,基极电流顺着pn结方向,相当于大量电子从发射区奔向基区,但基区很狭窄,好似是陡峭的山梁,掺杂又很淡,空穴很少,好像不毛之地容不得人。空穴很少,也相当于坑很少。大量电子就相当于萝卜。大量电子到了基区没有空穴可填进,就好像大量罗卜没有坑可安家。而NPN管子集电极接着正电源。正电源对电子是一个强大的吸引力。没有年轻小伙子见了俊俏裸女人不扑进她怀里的道理,也没有电子遇到正电源不被吸引过去的道理。大量电子在奔向基区的过程中被集电极俘获,成为集电极电流。被击穿,就是强迫。但是这里一切行动都是自主自愿的。所以这里边根本不存在集电结被击穿的道理。实际上正应了红楼梦的名言,发射极电流本来要形成基极电流,实际上却为集电极电流的形成做了嫁衣裳!集电极电流Ic远远大于基极电流Ib,其倍数Ic/Ib就是晶体管的电流放大倍数β值。
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