N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS<VGS-开启电压,即VGD=

N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS<VGS-开启电压,即VGD=VGS-VDS>开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模... N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS<VGS-开启电压,即VGD=VGS-VDS>开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下 展开
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绾浔漓酱&#xF353;
2013-09-29 · TA获得超过4.6万个赞
知道大有可为答主
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1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的。
2、第三个式子是从第二个推导出来的。
3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。
(1)首先设定UDS为0,然后慢慢增加UGS,等到UGS〉UGS(th),管子两端只要加微量电流,管子就可以导通,此时沟道形成了。
(2)当UGS为大于UGS(th)的某个特定值,然后增加UDS。当UDS<UGS-UGS(th)时, 管子就等效为一个可变电阻,电阻值的大小与UGS有关系,UGS越大,电阻越小。
(3)当UDS=UGS-UGS(th)时,就出现了预夹断,这也就是可变电阻区(饱和状态)与恒流区(放大状态)的分界线。
(4)当UDS>UGS-UGS(th),此时管子的电流就不会随着UDS变化而变化了,基本上维持恒定,只与UGS有关系,UGS越大,电流越大。
我不太喜欢用UGD表示,还是用UDS和UGS表示比较直观。
模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来,也有很多是从实验结果获得的。
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追问
可是栅极和漏极怎么联系在一起呢
追答
就是从夹断角度研究的,UDS逐步增大过程中,UGD逐步减小,靠近漏极的导电沟道开始变窄。从这里可以看出,UGD其实就代表着导电沟道的宽窄变化。
以上这些内容在分析结型管时写得清清楚楚,我用的是童诗白的《模拟电子技术基础》第四版,P41。其实结型管的分析方法与MOSFET非常相似,而且结构更简单一些,两者只是工作原理不同,但在分析工作状态时,手法相当接近。
你未离开
2013-09-29
知道答主
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倒数第二个式子是假设的条件,都数第一个式子是根据上个式子倒出来的
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追问
那么第二个式子是怎么通过前面的导岀来的呢,我不懂栅极和漏极怎么能联系在一起
追答
他们不是联系在一起,是栅极相对于漏极的电压为VGD!
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lizhongz1987
2013-09-29
知道答主
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这个问题确实不会
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