单片机pwm驱动mos管的问题 30

我的想法是这样的单片机(stc12c5a60s2)输出的pwm驱动mos管,mos管需要持续3a的电流,瞬时10a,整个电路使用3.7锂电池,现在的问题是,负载电流比较大... 我的想法是这样的单片机(stc12c5a60s2)输出的pwm驱动mos管,mos管需要持续3a的电流,瞬时10a,整个电路使用3.7锂电池,现在的问题是,负载电流比较大,3.7v不够mos完全导通压降对负载来说太大,求一个解决办法,电路尽量小,轻 展开
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烟火夜空
2014-04-15 · TA获得超过6623个赞
知道大有可为答主
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MOS管内阻很小,普通的有 40mΩ 左右,导通电流支持20A;好的能到4mΩ左右,导通电流支持80A;
10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3V工作的单片机,足够驱动了。
真正要考虑的是电池的负载能力,10A的瞬态输出,及3A的持续输出,电池负载能力不足的话,电压会瞬间跌落,很可能低于3V。解决方法:
①增大电源电路的退耦电容容量;
优点:在电池电压下跌的瞬间,释放大量电量维持电压,保持单片机正常工作;
缺点:治标不治本,电容电量来自电池,充电时会消耗大量电池电量,需要常充电的电池;
②采用负载输出能力强的电池;
优点:从根本上解决负载能力不足导致电压下跌的现象;
缺点:造价不便宜;
追问
您是说,门极3.7v时,导通电阻就可以降到40m欧左右吗
追答
导通时,漏 源两极的电阻本来就很小,不是降下来的,而是 导通时就这么大
意法半导体(中国)投资有限公司
2023-06-12 广告
这要看你的IGBT是控制什么器件了,不同的负载需要不同的驱动。就IGBT一般作为开关使用来看,单片机PWM信号直接驱动IGBT栅极这个方式不是太好。一般而言,高频开关的IGBT需要正负电源和具有图腾柱结构的器件驱动,否则就容易出现驱动不充分... 点击进入详情页
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