现在的内存卡是用什么介质贮存信息的,过去我们见过磁带和磁盘都是用磁性贮存信息,光盘是用光信息,现在
现在的内存卡是用什么介质贮存信息的,过去我们见过磁带和磁盘都是用磁性贮存信息,光盘是用光信息,现在的内存卡那么一点点,却是几个G几十G上百G等,内存卡里面是什么东西,有那...
现在的内存卡是用什么介质贮存信息的,过去我们见过磁带和磁盘都是用磁性贮存信息,光盘是用光信息,现在的内存卡那么一点点,却是几个G几十G上百G等,内存卡里面是什么东西,有那么大的容量。求高人说明一下,详细点,我是文盲太笼统了我不懂。
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半导体,接入正电荷 就是1 负电荷就是0 通过1 0 就是以前磁带 有磁没来
存储原理,还是要从EPROM和EEPROM说起。
http://wenwen.sogou.com/z/q126273544.htm
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。其基本单元电路(存储细胞)如下图所示,常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS。它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0。若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,MOS管不导通,即存入1。
存储原理,还是要从EPROM和EEPROM说起。
http://wenwen.sogou.com/z/q126273544.htm
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。其基本单元电路(存储细胞)如下图所示,常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS。它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0。若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,MOS管不导通,即存入1。
Jtti
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