Nandflash和norflash的区别
（1）、接口差别：
NOR型Flash采用的SRAM接口，提供足够的地址引脚来寻址，可以很容易的存取其片内的每一个字节；NAND型Flash使用复杂的I/O口来串行的存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同，通常是采用8个I/O引脚来传送控制、地址、数据信息。
（2）、读写的基本单位：
NOR型Flash操作是以“字”为基本单位，而NAND型Flash以“页面”为基本单位，页的大小一般为512字节。
（3）、性能比较：
NOR型Flash的地址线和数据线是分开的，传输效率很高，程序可以在芯片内部执行，NOR型的读速度比NAND稍快一些；NAND型Flash写入速度比NOR型Flash快很多，因为NAND读写以页为基本操作单位。
（4）、容量和成本：
NAND型Flash具有较高的单元密度，容量可以做得比较大，加之其生产过程更为简单，价格较低；NOR型Flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的产品中，这也说明NOR主要用在代码存储介质中，NAND适合数据存储在CompactFlash、PC Cards、MMC存储卡市场上所占的份额最大。
（5）、软件支持：
NAND型和NOR型Flash在进行写入和擦除时都需要MTD（Memory Technology Drivers，MTD已集成在Flash芯片内部，它是对Flash进行操作的接口），这是它们的共同特点；但在NOR型Flash上运行代码不需要任何的软件支持，而在NAND型Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序，即内存技术驱动程序MTD。
nandflash和norflash的区别如下：
1、开发的公司不同：
NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace）。
Nandflash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
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2、存储单元关系的不同：
两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。
3、擦除操作的不同：
NANDFLASH执行擦除操作是十分简单的，而NORFLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NORFLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NANDFLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
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参考资料来源：/baike.baidu.com/item/NOR%20Flash"target="_blank"title="百度百科-NORFlash">百度百科-NORFlash
